[发明专利]一种带温度补偿的半导体激光器可调恒流驱动电路有效

专利信息
申请号: 201510224490.8 申请日: 2015-05-06
公开(公告)号: CN104795728B 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 黄绪华;欧阳文;洪汉润 申请(专利权)人: 武汉博激世纪科技有限公司
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042
代理公司: 北京天奇智新知识产权代理有限公司11340 代理人: 李艳双
地址: 430206 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 温度 补偿 半导体激光器 可调 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种带温度补偿的半导体激光器可调恒流驱动电路,包括:依次连接的运放U10、MOS管Q19、激光器LD,所述运放U10的正向输入端通过电阻R3与电源输入端连接,其特征在于,所述电阻R3的两端与一个热敏电阻R2并联,并且所述热敏电阻R2位于激光器LD的散热壳体上;管芯温度升高时,热敏电阻R2感应到温度信号,其阻值发生变小。

2.根据权利要求1所述的一种带温度补偿的半导体激光器可调恒流驱动电路,其特征在于,所述电源输入端通过电阻R1与三段稳压器lm4040相连,所述电阻R1与三段稳压器lm4040的连接点与电阻R3的一端相连,所述电阻R3的另一端与运放U10的正向输入端相连,并且所述运放U10的正向输入端通过电位器RP接地。

3.根据权利要求1所述的一种带温度补偿的半导体激光器可调恒流驱动电路,其特征在于,所述MOS管Q19的基极通过电阻R4与运放U10的输出端连接;所述MOS管Q19的源极分别与电阻R5、电阻R6、电容C1的一端连接,并且所述电阻R5的另一端与运放U10的反向输入端连接,所述电阻R6的另一端接地,所述电容C1的另一端与MOS管Q19的基极连接;所述MOS管Q19的漏极与激光器LD的负极相连。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉博激世纪科技有限公司,未经武汉博激世纪科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510224490.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top