[发明专利]上电极结构及等离子体增强化学气相沉积装置

权利要求书

1.一种上电极结构，其特征在于，所述上电极结构包括中心电极板(10)和围绕所述中心电极板(10)并与所述中心电极板(10)连接的外围电极板(20)，所述外围电极板(20)的底面低于所述中心电极板(10)的底面，且所述上电极结构中具有贯穿所述上电极结构的通气孔道，

所述外围电极板(20)和所述中心电极板(10)中包括依次层叠设置的通气基板(110)、匀流板(210)和喷淋板(310)，所述通气基板(110)具有第一通气孔道(120)，所述匀流板(210)具有第二通气孔道(220)，所述喷淋板(310)具有第三通气孔道(320)，所述外围电极板(20)中的所述喷淋板(310)的底面构成所述外围电极板(20)的底面，所述中心电极板(10)中的所述喷淋板(310)的底面构成所述中心电极板(10)的底面，

所述匀流板(210)具有多个所述第二通气孔道(220)，所述喷淋板(310)具有多个所述第三通气孔道(320)，且所述第三通气孔道(320)横截面的面积小于所述第二通气孔道(220)横截面的面积，所述第三通气孔道(320)的数量大于所述第二通气孔道(220)的数量。

2.根据权利要求1所述的上电极结构，其特征在于，所述中心电极板(10)的上表面与所述外围电极板(20)的上表面齐平。

3.根据权利要求1所述的上电极结构，其特征在于，所述中心电极板(10)与所述外围电极板(20)的厚度相同。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的上电极结构，其特征在于，所述外围电极板(20)包括n个依次连接设置的环形电极板，第n个所述环形电极板环绕第n-1个所述环形电极设置，第n个所述环形电极板的底面低于第n-1个所述环形电极，且n≥2。

5.根据权利要求4所述的上电极结构，其特征在于，所述中心电极板(10)和/或各所述环形电极板由多块电极板(30)组成，各所述电极板(30)中具有所述通气孔道。

6.根据权利要求5所述的上电极结构，其特征在于，

所述中心电极板(10)中各所述电极板(30)具有相同的形状和尺寸；和/或

各所述环形电极板中各所述电极板(30)具有相同的形状和尺寸。

7.一种等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，包括腔室(40)、设置于所述腔室(40)上方的上电极结构(50)和与所述上电极结构(50)连接设置的射频电源(60)，所述腔室(40)的顶部设置有进气口(70)，且所述上电极结构(50)为权利要求1至6中任一项所述的上电极结构(50)。

8.根据权利要求7所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，当所述上电极结构(50)中的中心电极板(10)和/或外围电极板(20)由多块电极板(30)组成时，所述射频电源(60)为多个，各所述射频电源(60)连接有数量相同的所述电极板(30)，且与同一所述射频电源(60)连接的各所述电极板(30)具有持平的表面和底面。

9.根据权利要求8所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述射频电源(60)与所述电极板(30)一一对应连接。

10.根据权利要求7所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积装置还包括设置于所述上电极结构(50)和所述进气口(70)之间的气体管路(80)，所述气体管路(80)包括有依次连接的主管段(810)、第一分管段(820)和第二分管段(830)，且所述主管段(810)的进气端连接所述进气口(70)，所述第二分管段(830)的出气端连接所述上电极结构(50)中的通气孔道。