[发明专利]卷对卷磁控溅射阴极与柱状多弧源相结合的真空镀膜系统

权利要求书

1.一种卷对卷磁控溅射阴极与柱状多弧源相结合的真空镀膜系统，包括放卷室、镀膜室、收卷室、柔性基片，其特征在于：镀膜室（11）的一端连接放卷室（1），镀膜室（11）的另一端连接收卷室（14），并且镀膜室（11）与放卷室（1）的连接处及镀膜室（11）与收卷室（14）的连接处分别设有可通过柔性基片（3）的狭长缝隙（12）；所述的镀膜室（11）的中央设有冷却辊（6），位于冷却辊（6）的前方分别设有线性等离子体源（7）、磁控溅射阴极（8）及柱状多弧源（9），并且线性等离子体源（7）、磁控溅射阴极（8）及柱状多弧源（9）分别采用挡板（5）隔开。

2.根据权利要求1所述的卷对卷磁控溅射阴极与柱状多弧源相结合的真空镀膜系统，其特征在于：所述的放卷室（1）内设有放卷轴（2）。

3.根据权利要求1所述的卷对卷磁控溅射阴极与柱状多弧源相结合的真空镀膜系统，其特征在于：所述的收卷室（14）内设有收卷轴（15）。

4.根据权利要求1或2或3所述的卷对卷磁控溅射阴极与柱状多弧源相结合的真空镀膜系统，其特征在于：所述的放卷室（1）、镀膜室（11）、收卷室（14）内设有若干用于柔性基片导向作用的导向辊（10）。

5.根据权利要求1所述的卷对卷磁控溅射阴极与柱状多弧源相结合的真空镀膜系统，其特征在于：所述的线性等离子体源（7）、磁控溅射阴极（8）及柱状多弧源（9）分别采用独立的抽气系统。

6.根据权利要求1所述的卷对卷磁控溅射阴极与柱状多弧源相结合的真空镀膜系统，其特征在于：所述的线性等离子体源（7）、磁控溅射阴极（8）及柱状多弧源（9）用挡板（5）隔开出半开放式工作空间，其工作气压大于邻近真空腔体的气压。

7.根据权利要求1所述的卷对卷磁控溅射阴极与柱状多弧源相结合的真空镀膜系统，其特征在于：隔离线性等离子体源（7）、磁控溅射阴极（8）及柱状多弧源（9）采用挡板（5）成双层中空结构。

8.根据权利要求1所述的卷对卷磁控溅射阴极与柱状多弧源相结合的真空镀膜系统，其特征在于：所述的线性等离子体源（7）、磁控溅射阴极（8）及柱状多弧源（9）呈半圆弧形布局设置。