[发明专利]石斛的间歇浸没式培养方法和培养装置有效

专利信息
申请号: 201510225344.7 申请日: 2015-05-04
公开(公告)号: CN104823824B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 王贵荣 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00;A01G31/02
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司31225 代理人: 杨元焱
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 石斛 间歇 浸没 培养 方法 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及生物工程技术,特别涉及一种石斛的间歇浸没式培养方法和培养装置。

技术背景

石斛是我国的一味珍贵的滋补类中草药,具有补气健胃,滋补肾阴,增强人体免疫力的作用,《神农本草经》中列为上品。由于用量巨大,目前面临着两个危机:一是野生植物资源蕴藏量和产量普遍存在着下降趋势;二是石斛需求量不断增加,造成了对该药用植物资源的超量采挖。传统的石斛栽培技术主要包括活树接种培养和无土基质栽培。活树接种培养产量太低;无土基质培养时所用基质以松树皮为主,不仅破坏了宝贵的树木资源,而且增加了种植成本。通过对现有技术的检索发现,蒋娉等(2013)发明了一种“一种铁皮石斛无糖组织培养方法”,肖玉兰等(2012)发明了“一种无糖箱式植物组织的培养方法”,王锡麟等(2006)发明了一种“气培式植物无糖组培装置”,这些发明专利可以降低石斛无菌组培苗的污染率,但没有解决石斛苗室外自然条件下生长时,所需基质的问题。另外,石斛对根部的通气要求高,上述专利中植物长期浸泡在液体中,容易引起烂根;另外往箱底通入二氧化碳会增加种植成本。

发明内容

本发明的目的,就是为了克服上述现有技术存在的问题,提供一种石斛的间歇浸没式培养方法和培养装置。

为了实现本发明的目的,本发明采用了以下技术方案:一种石斛的间歇浸没式培养方法,包括如下步骤:

一、用氯化汞溶液对石斛种子进行消毒,然后接种到种子萌发培养基中,光照下培养;

二、无菌苗生根后打开瓶盖,练苗2-3天;

三、练苗结束后洗浄根部残留的琼脂,然后转入间歇浸没式培养装置中;

四、在间歇浸没式培养装置下腔注入营养液,然后把石斛苗无菌扦插到装置上腔并用不锈钢网状苗床固定;采用间歇浸没式培养模式对石斛苗进行培养,让营养液在虹吸管和液泵的共同作用下在装置的上腔和下腔之间间歇循环转移。

步骤一所述种子萌发培养基,为添加0.2-0.5mg/L赤霉素的MS固体培养基。

步骤四所述间歇浸没式培养模式是,在室温下,将间歇浸没式培养装置置于室外阴凉处,避免阳光直射,不需要无菌环境,营养液间歇循环转移的周期控制在30-60分钟,每15-20天更换一次新鲜营养液。

所述营养液的配方为大量元素减半的1/2MS无糖培养基,石斛生长所需糖份来自光合作用。

用于上述石斛的间歇浸没式培养方法的培养装置,包括培养箱,该培养箱由一块隔板分隔成上腔和下腔,在上腔和下腔之间分别连接有连通管、虹吸管和液泵,在上腔还设有用于固定石斛苗的不锈钢网状苗床。

所述虹吸管的虹吸口接近上腔的腔底。

采用本发明的装置和方法,将已生根的无菌石斛苗,转移到一个间歇浸没式培养装置中,在自然条件下进行液体培养,培养液中不加糖,也不需通入二氧化碳,石斛生长所需的碳源来自于自身的光合作用,简化了培养条件,降低了种植成本。

附图说明

图1为石斛的间歇浸没式培养装置的结构示意图。

具体实施方法

本发明石斛的间歇浸没式培养方法,包括如下步骤:

一、用氯化汞溶液对石斛种子进行消毒,然后接种到种子萌发培养基中,室内光照下培养;种子萌发培养基为添加0.5mg/L赤霉素的MS固体培养基。

二、无菌苗生根后打开瓶盖,练苗2天;

三、练苗结束后洗浄根部残留的琼脂,然后转入间歇浸没式培养装置中进行培养。

四、在室温下,将间歇浸没式培养装置置于室外阴凉处,避免阳光直射。在间歇浸没式培养装置下腔注入营养液,营养液的配方为大量元素减半的1/2MS无糖培养基,然后把石斛苗无菌扦插到装置上腔并用不锈钢网状苗床5固定;开启液泵3,营养液在液泵的作用的下从容器的下腔转移到上腔,当上腔液体的液面超过虹吸管4的最高点时(虹吸管4的最高点高于石斛苗的最高点,保证营养液能浸没全体石斛苗),容器上腔的培养液在虹吸作用下迅速转移到容器下面。如此,营养液在容器的上、下腔之间往复循环转移,而石斛苗就会处于液体浸泡和裸露交替出现的条件下实现间歇浸没式培养。营养液间歇循环转移的周期控制在30-60分钟,每15-20天更换一次新鲜营养液。

本实施例所用的培养装置如图1所示,包括培养箱1,该培养箱由一块隔板分隔成上腔11和下腔12,在上腔和下腔之间分别连接有连通管2、虹吸管4和液泵3,在上腔还设有用于扦插石斛苗的不锈钢网5。虹吸管的虹吸口接近上腔的腔底。

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