[发明专利]一种表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物

权利要求书

1.一种表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物，其特征在于，包括：

质量百分比含量为97.5％～99.45％的碳化硅斜方晶须，所述碳化硅斜方晶须的长度为0.5μm-0.7μm且表面经过湿法刻蚀处理；

质量百分比含量为0.01％～0.05％的氧化铝斜方晶须，所述氧化铝斜方晶须的长度为0.7μm内且表面经过刻蚀处理；

表面经过Na₂SiF₆处理且质量百分比为0.01％-0.015％的高岭土；

其中，所述碳化硅斜方晶须、所述氧化铝斜方晶须、所述高岭土一并复合成所述碳化硅纳米晶须复合物，在所述碳化硅纳米晶须复合物中，所述碳化硅斜方晶须处于物理上的分离状态。

2.如权利要求1所述的表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物，其特征在于，所述氧化铝斜方晶须的长度为：0.35μm-0.4μm。

3.如权利要求1所述的表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物，其特征在于，所述高岭土的纯度为99.99％。

4.如权利要求1所述的表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物，其特征在于，所述碳化硅斜方晶须包括β碳化硅。

5.如权利要求1所述的表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物，其特征在于，表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物的制备方法为：

利用湿法刻蚀来制备所述氧化铝斜方晶须；

粉碎所述氧化铝斜方晶须至0.35μm-0.4μm的尺寸，并通过湿法刻蚀改变所述氧化铝斜方晶须的所有表面；

将干燥的高岭土与Na₂SiF₆混合；

制备所述碳化硅斜方晶须；

将0.01％～0.05％的氧化铝斜方晶须掺杂到质量百分比为97.5％～99.45％的碳化硅斜方晶须中；

混合氟化材料和掺入Na₂SiF₆的干燥的高岭土，获得混合材料；

加热碳化硅斜方晶须、氧化铝斜方晶须、混合材料，以产生所述碳化硅纳米晶须复合物。

6.如权利要求5所述的表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物，其特征在于，所述氟化材料包括：四氟乙烯或聚四氟乙烯。

7.如权利要求1所述的表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物，其特征在于，所述加热碳化硅斜方晶须、氧化铝斜方晶须、混合材料，具体为：

在800-850℃的温度范围处理所述碳化硅斜方晶须、所述氧化铝斜方晶须、所述混合材料。

8.一种复合泡沫塑料，其特征在于，包括如上述权利要求1-7任一权项的表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物。

9.如权利要求8所述的复合泡沫塑料，其特征在于，所述复合泡沫塑料由以下步骤制备：

将所述碳化硅纳米晶须复合物与大量微球体混合，获得混合物，所述碳化硅纳米晶须复合物所占质量百分比为7.5％-15％；

将所述混合物同树脂基泡沫塑料复合材料混合，获得所述复合泡沫塑料。

10.一种涂料，其特征在于，包括如上述权利要求8所述的复合泡沫塑料。

11.一种绝缘材料，其特征在于，包括如上述权利要求8所述的复合泡沫塑料。

12.一种制造电子元件，其特征在于，包括如上述权利要求1-7任一权项的表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物。

13.一种机电设备，其特征在于，包括如上述权利要求1-7任一权项的表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物。

14.一种陶瓷复合材料，其特征在于，包括如上述权利要求1-7任一权项的表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物。

15.一种机械器件，其特征在于，包括如上述权利要求1-7任一权项的表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物。

16.一种医疗器械，其特征在于，包括如上述权利要求1-7任一权项的表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物。

17.一种的添加剂，添加于氢化丁腈橡胶、浇铸聚氨酯、乙烯酯、玻璃纤维材料和热塑性聚氨酯弹性体中，其特征在于，包括如上述权利要求1-7任一权项的表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物。