[发明专利]一种MEMS惯性传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS惯性传感器，其特征在于：包括衬底(1)，以及分别固定在衬底(1)上端、下端的盖体(2)，两个盖体(2)与衬底(1)分别形成位于衬底(1)两侧的第一容腔、第二容腔；在所述衬底(1)的上端通过中间结合层(4)设有位于第一容腔内的第一敏感结构(3)，在所述衬底(1)的下端通过中间结合层(4)设有位于第二容腔内的第二敏感结构(6)，所述第一敏感结构(3)包括第一弹性梁，以及位于第一弹性梁两侧的可动极板C1-1(30)、可动极板C1-2(31)，所述第二敏感结构(6)包括第二弹性梁，以及位于第二弹性梁两侧的可动极板C2-1(60)、可动极板C2-2(61)；所述衬底(1)的上端设有与可动极板C1-1(30)构成C1电容结构的固定极板C3-1(80)，以及与可动极板C1-2(31)构成C2电容结构的固定极板C3-2(81)；所述衬底(1)的下端设有与可动极板C2-1(60)构成C3电容结构的固定极板C4-1(82)，以及与可动极板C2-2(61)构成C4电容结构的固定极板C4-2(83)。

2.根据权利要求1所述的MEMS惯性传感器，其特征在于：其中在所述衬底(1)上设有金属化通孔，所述第一敏感结构(3)和第二敏感结构(6)通过穿过金属化通孔的导电材料(5)或连通导电材料(5)的引线(9)连接。

3.根据权利要求1所述的MEMS惯性传感器，其特征在于：所述第一敏感结构(3)、第二敏感结构(6)为平动结构，其中，C1电容结构与C3电容结构形成叠加电容C13；C2电容结构与C4电容结构形成叠加电容C24，叠加电容C13与C24构成差分电容结构。

4.根据权利要求1所述的MEMS惯性传感器，其特征在于：所述第一敏感结构(3)、第二敏感结构(6)为偏转结构，其中，所述第一敏感结构(3)重心偏移的方向与第二敏感结构(6)重心偏移的方向相反；C1电容结构与C3电容结构形成叠加电容C13；C2电容结构与C4电容结构形成叠加电容C24，叠加电容C13与C24构成差分电容结构。

5.根据权利要求1所述的MEMS惯性传感器，其特征在于：所述第一敏感结构(3)、第二敏感结构(6)为偏转结构，其中，所述第一敏感结构(3)重心偏移的方向与第二敏感结构(6)重心偏移的方向相同；C1电容结构与C4电容结构形成叠加电容C14；C2电容结构与C3电容结构形成叠加电容C23，叠加电容C14与C23构成差分电容结构。

6.根据权利要求1所述的MEMS惯性传感器，其特征在于：所述第一敏感结构(3)为加速度计结构，所述第二敏感结构(6)为陀螺仪结构；或者所述第一敏感结构(3)为陀螺仪结构，所述第二敏感结构(6)为加速度计结构。

7.根据权利要求1所述的MEMS惯性传感器，其特征在于：所述衬底(1)上还设有贯通第一容腔和第二容腔的气压导通孔。