[发明专利]芯片间隔维持装置以及芯片间隔维持方法在审
申请号: | 201510229164.6 | 申请日: | 2015-05-07 |
公开(公告)号: | CN105097479A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 植木笃 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/304 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 间隔 维持 装置 以及 方法 | ||
技术领域
本发明涉及将隔着扩张膜支撑于环状框架上的被加工物的分割后的各个芯片维持为扩张芯片间隔的状态的芯片间隔维持装置以及芯片间隔维持方法。
背景技术
以往,已知在贴附于扩张膜上的被加工物上,沿着分割预定线形成改质层、激光加工槽、切削槽等的分割起点,然后将被加工物分割为各个芯片的方法(例如,参照专利文献1)。在专利文献1所述的分割方法中,粘贴于环状框架上的扩张膜扩张,从而对沿着分割预定线形成的分割起点施加外力,沿着该强度降低的分割起点将被加工物分割为各个芯片。然而,一旦解除了扩张膜的扩张,则会在扩张膜上产生较大的松弛,相邻芯片彼此接触而存在产生缺损和破损的可能性。
因此,还提出了在维持(固定)芯片间的间隔的状态下,对扩张膜的松弛程度较大的被加工物的周围赋予热等的外部刺激,使扩张膜的松弛收缩的方法。对于该方法,担心由于扩张膜的材质和厚度而使得基于外部刺激的松弛收缩不充分,或者松弛不发生收缩。于是,提出了一种把持扩张膜的松弛并进行热压接,从而在扩张膜上形成张力的方法(例如,参照专利文献2)。在该专利文献2所述的方法中,使在被加工物的周围产生的扩张膜的松弛向上方隆起,在全周范围把持该隆起部并进行热压接,以去除扩张膜的松弛。
专利文献1日本特开2007-189057号公报
专利文献2日本特开2013-239557号公报
然而,在扩张膜贴附于环状框架上时,会在扩张膜的一个方向上施加张力,因而会在被施加张力的一个方向和与其正交的另一个方向上产生张力偏差。因此,在专利文献2所述的方法中,受到扩张膜内在的张力影响,会在被加工物的周围的径向不同距离处产生隆起部。因此,在从上表面观察时,被加工物的周围会被隆起部呈椭圆状包围,存在难以在全周范围内对隆起部热压接以去除扩张膜的松弛的问题。
发明内容
本发明就是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供一种能够在短时间内准确地去除由于扩张膜的扩张而产生的松弛的芯片间隔维持装置以及芯片间隔维持方法。
本发明的芯片间隔维持装置,其将构成贴附于扩张膜上而安装于环状框架上的被加工物的多个芯片的间隔维持为扩张状态,其具有:工作台,其具有支撑被加工物的支撑面,并且隔着扩张膜以能够吸附保持的方式支撑被加工物;框架保持单元,其具有在该工作台的周围保持环状框架的保持面;扩张单元,其通过扩张该扩张膜而在多个该芯片间形成间隔;加热单元,其从上方侧对隆起部照射热而使其收缩,其中,该隆起部是在隔着该扩张膜通过该工作台吸附保持被该扩张单元扩张了该扩张膜而在该芯片间形成有间隔的多个该芯片的同时,通过解除该扩张单元的扩张而在被加工物的外周与该环状框架的内周之间由该扩张膜的多余部分隆起而成的;以及按压单元,其配设于与该加热单元的热照射口相对的隔着该扩张膜的正下方,且从该扩张膜的下方向该加热单元的该热照射口的方向按压该扩张膜,使该隆起部向该加热单元的该热照射口的附近移动。
根据该结构,被加工物保持于工作台上,而环状框架保持于框架保持单元上,通过扩张膜扩张而在芯片间形成间隔。然后,在凭借工作台的吸附在被加工物的芯片间维持间隔的状态下解除扩张膜的扩张,从而在被加工物的外周与环状框架的内周之间,通过扩张膜的松弛产生的多余部分隆起而形成隆起部。此时,凭借扩张膜内在的张力的偏差,在产生于被加工物的周围的隆起部从热照射口的正下方偏离时,凭借按压单元按压扩张膜而使得隆起部移动至热照射口的正下方。隆起部向热照射口的附近移动,因此从热照射口起向隆起部照射热,能够使隆起部高效地热收缩。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造