[发明专利]用于功率半导体开关的布置和方法有效

专利信息
申请号: 201510229287.X 申请日: 2015-05-07
公开(公告)号: CN105099417B 公开(公告)日: 2018-12-14
发明(设计)人: 米卡·尼米;劳里·佩尔托宁 申请(专利权)人: ABB瑞士股份有限公司
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 朱胜;李春晖
地址: 瑞士*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要:
搜索关键词: 用于 功率 半导体 开关 布置 方法
【权利要求书】:

1.一种用于功率半导体开关(Q1)的布置,在所述功率半导体开关(Q1)中,第一电极(e)与第二电极(c)之间的第一电流被配置成基于第三电极(g)与所述第一电极(e)之间的控制电压而被控制,其中,所述布置包括:

电感(L1),所述电感(L1)与所述功率半导体开关串联连接,其中,所述电感(L1)的第一端连接至所述第一电极(e),

第一测量装置(11;34),所述第一测量装置(11;34)用于基于所述电感(L1)的所述第一端的电压来相对于参考电势生成第一测量电压,其中,所述第一测量装置具有第一增益和第一偏置,

第二测量装置(12;35),所述第二测量装置(12;35)用于基于所述电感(L1)的第二端电压来相对于参考电势生成第二测量电压,其中,所述第二测量装置具有不同于所述第一增益的第二增益和不同于所述第一偏置的第二偏置,

比较器(13;36),所述比较器(13;36)用于将所述第一测量电压与所述第二测量电压进行比较,以及

驱动装置(14;31),所述驱动装置(14;31)用于生成所述控制电压,所述驱动装置(14;31)被配置成生成所述控制电压的第一控制电压水平和第二控制电压水平,其中,所述驱动装置(14;31)耦接至所述参考电势,使得在使用期间所述第一控制电压水平和所述第二控制电压水平相对于所述参考电势生成不同的第一电极电压,并且,其中

所述第一增益、所述第二增益、所述第一偏置和所述第二偏置被选择成使得,在使用期间,所述控制电压从所述第一控制电压水平和所述第二控制电压水平中的一个水平到所述第一控制电压水平和所述第二控制电压水平中的另一水平的改变引起所述第一测量电压与所述第二测量电压之间的电压差改变其符号,从而使得所述比较器指示所述控制电压的水平何时改变以及所述第一电流的变化率的幅度何时超过设定限制,并且其中,所述第一增益、所述第二增益、所述第一偏置和所述第二偏置被选择成使得:在操作中,

流过所述电感(L1)的所述第一电流的变化率的改变引起所述第一测量电压与所述第二测量电压之间的电压差的改变,以及

如果在所述功率半导体开关导通和关断时的所述变化率的幅度超过所述设定限制,则所述电压差改变极性并且所述比较器(13;36)改变其状态。

2.根据权利要求1所述的布置,其中,所述第二增益低于所述第一增益,并且所述第二偏置高于所述第一偏置。

3.根据权利要求1或2所述的布置,其中,所述第一增益、所述第二增益、所述第一偏置和所述第二偏置被选择成使得:在操作中,

如果在导通事件期间所述变化率增加到第一限制以上,则所述电压差降低到零并且所述比较器(13;36)改变其状态,以及

如果在关断事件期间所述变化率降低到第二限制以下,则所述电压差降低到零并且所述比较器(13;36)改变其状态。

4.根据权利要求1或2所述的布置,其中,所述第一增益、所述第二增益、所述第一偏置和所述第二偏置被选择成使得:在使用所述布置期间,如果所述电感(L1)上的电压为零,则

所述第一控制电压水平在所述第一测量电压与所述第二测量电压之间引起第一电压差水平,所述第一电压差水平将所述比较器(13;36)设置成第一状态,

所述第二控制电压水平引起所述第一测量电压与所述第二测量电压之间的第二电压差水平,所述第二电压差水平将所述比较器(13;36)设置成第二状态。

5.根据权利要求1或2所述的布置,其中,所述功率半导体开关为下述单元:在所述单元中,

所述第一电极(e)包括主端子(emain)和辅助端子(eaux),所述控制电压被提供在所述第三电极(g)与所述第一电极(e)的辅助端子之间;以及

所述电感(L1)是由所述单元中的接合线形成的,所述电感上的电压是在所述辅助端子(eaux)与所述主端子(emain)之间测量的。

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