[发明专利]ALD机台腔体的净化方法在审
| 申请号： | 201510229506.4 | 申请日： | 2015-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN104911562A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 余先涛;周夏;辛科 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ald 机台 净化 方法 | ||
1.一种ALD机台腔体的净化方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，向所述机台腔体内通入六氯乙硅烷，在所述晶圆上进行原子层沉积工艺；
对所述机台腔体进行降压升温；
向所述机台腔体同时通入氢气和氧气。
2.如权利要求1所述的ALD机台腔体的净化方法，其特征在于，对所述机台腔体进行降压升温之后，向所述机台腔体通入氢气和氧气之前，向所述机台腔体通入氧气。
3.如权利要求1所述的ALD机台腔体的净化方法，其特征在于，向所述机台腔体同时通入氢气和氧气之后，先停止通入氢气，再停止通入氧气。
4.如权利要求3所述的ALD机台腔体的净化方法，其特征在于，停止通入氧气之后，向所述机台腔体中通入氮气。
5.如权利要求1～3中任一项所述的ALD机台腔体的净化方法，其特征在于，向机台腔体同时通入氢气和氧气时，通入的氢气的流量为2slm-4slm。
6.如权利要求1～3中任一项所述的ALD机台腔体的净化方法，其特征在于，向机台腔体同时通入氢气和氧气时，通入的氧气的流量为3slm-5slm。
7.如权利要求1～3中任一项所述的ALD机台腔体的净化方法，其特征在于，同时通入氢气和氧气的时间为60min-100min。
8.如权利要求1所述的ALD机台腔体的净化方法，其特征在于，对晶圆进行原子层沉积时，所述机台腔体内的温度为500℃-600℃。
9.如权利要求8所述的ALD机台腔体的净化方法，其特征在于，将所述机台腔体内的温度升为600℃-800℃。
10.如权利要求1所述的ALD机台腔体的净化方法，其特征在于，对晶圆进行原子层沉积时，所述机台腔体内的压力为0,4Torr-0.6Torr。
11.如权利要求10所述的ALD机台腔体的净化方法，其特征在于，将所述机台腔体内的压力降为1.0Torr-3.0Torr。
12.如权利要求1所述的ALD机台腔体的净化方法，其特征在于，所述晶圆完成原子沉积工艺后，机台自动执行升温降压以及同时通入氢气和氧气的操作。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
