[发明专利]一种氮硫磷掺杂石墨烯片的制备方法

说明书

技术领域

本发明属于纳米材料制备技术领域，尤其涉及一种氮硫磷掺杂石墨烯片的制备方法。

背景技术

在新材料的研发过程中，维度已成为调制物质结构和特性的一个重要参数。当材料由三维结构变到二维、一维和零维时，其几何结构和物理化学特性将发生显著的变化。二维纳米材料因具有各向异性和独特的光电性能而被广泛地应用在固态纳米器件、传感及功能薄膜等众多领域。特别是高定向石墨碳001面对放射线独特的抵抗能力，可望用于医用低能中子抗辐射材料、X-Ray单色仪抗辐射材料以及核熔融反应器的抗辐射材料，它将成为先进科学技术领域的一种新型抗辐射材料。

作为二维材料，一般厚度方向为单原子层或双原子层碳原子。石墨烯的发现打破了二维单层原子晶体不可能存在的理论推断，引发了目前人们对二维单原子层材料的研究热潮。这不仅成为纳米科学领域中产生新知识的重要源头之一，而且为研制高性能功能纳米材料和器件提供了契机。目前该领域的研究热点之一是对单原子层材料进行功能化修饰。随着研究的深入，对二维纳米材料的需求量也逐步增加，急需简单易行的合成方法。

但是由于二维纳米材料表面自由能较高，在制备过程中往往采用非常规的方法，比如用CVD法可以制备出高质量大面积的石墨烯二维纳米材料，但是理想的基片材料单晶镍的价格太昂贵，这是影响石墨烯工业化生产的重要因素，另外还有成本较高，工艺复杂。另外还有氧化-还原法，其缺点是宏量制备容易带来废液污染和制备的石墨烯存在一定的缺陷，例如，五元环、七元环等拓扑缺陷或存在-OH基团的结构缺陷，这些将导致石墨烯部分电学性能的损失，使石墨烯的应用受到限制。

目前石墨烯领域的研究热点之一是对单原子层材料进行功能化修饰。人们一直梦想能在这些单原子层材料中有规则且离散地引入金属原子以构成新型的单原子层磁性材料、催化材料和气体吸附材料，但由于过渡金属原子容易聚集，这一梦想一直未能在石墨烯和单原子层中实现。

半导体可以被掺杂，掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同，本征半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施体原子会在靠近导带的地方产生一个新的能阶，而受体原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值，这个特性会引出很多其他有用的电特性。

膨润土化学结构通式为：[M²⁺_1-xM³⁺x(OH)₂]^x+[(A^n-)_x/n·mH₂O]，其中M²⁺为Mg²⁺、Ni²⁺、Mn²⁺、Zn²⁺、Ca²⁺、Fe²⁺、Cu²⁺等二价金属阳离子；M³⁺为Al³⁺、Cr³⁺、Fe³⁺、Co³⁺等三价金属阳离子；A^n-为阳离子，如CO₃^2-、NO₃^-、Cl^-、OH^-、SO₄^2-、PO₄^3-、C₆H₄(COO)₂^2-等无机和有机离子以及络合离子，当层间无机阳离子不同，膨润土的层间距不同。

发明内容

本发明的目的是为克服现有技术中制备工艺复杂、价格昂贵等的不足，提供一种氮硫磷掺杂石墨烯片的制备方法。

为此，本发明提供了以下技术方案，一种氮硫磷掺杂石墨烯片的制备方法，依次包括如下步骤：

1)按照每克水滑石对应0.5～1mmol四甲基溴化铵的量，将过20-50目筛的水滑石加入到质量百分比浓度为0.1％～1％的四甲基溴化铵溶液中，在60～70℃恒温水浴中搅拌5～6h，老化12～24h，得到四甲基溴化铵改性的水滑石悬浊液；