[发明专利]一种微位移测试系统用电源高频变压器绕制方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种变压器绕制方法，尤其涉及一种微位移测试系统用电源高频变压器绕制方法。

背景技术

传统的AC-DC变换方式采用工频变压器降压，得到低压正弦电压，再通过整流电路将交流整成直流电压，再通过大电容滤波，将直流电压变成脉动直流，最后通过稳压电路将脉动电压稳成所需的电源电压。但这种方式效率低，并且工频变压器体积庞大，价格贵，随着近年来开关电源技术的发展，这种方式已经逐渐被取代。

美国功率集成公司(Power Integration Inc.)的TOP224组成反激式变换器成功实现了系统的高效率供电。该系列产品将MOSFET和控制电路集成在一起，不仅提高了电源效率，而且使电源的体积和重量大为减小。

220V交流电经过整流桥和大电容滤波，变成脉动高压直流，当TOP224的MOSFET导通时，向变压器初级线圈充电，当TOP224的MOSFET截止时，储存在变压器初级线圈中的磁场能量耦合到次级线圈中，通过次级输出连接的二极管，耦合过来的交流电压变成直流电压，通过滤波电容，变成较稳定的直流。TOP224正常工作还需要有反馈绕组，控制TOP224的MOSFET占空比，使输出电压稳定。现有的高频变压器绕组的绕制方法不够合理，使得高频变压器转换效率低，电压波动大。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的缺陷，提供一种微位移测试系统用电源高频变压器绕制方法，其能提高MOSFET占空比，稳定输出电压，提高高频变压器的转换效率。

实现上述目的的技术方案是：一种微位移测试系统用电源高频变压器绕制方法，所述微位移测试系统用电源高频变压器包括初级绕组、反馈绕组、第一次级绕组、第二次级绕组、第一E型铁芯和第二E型铁芯，所述初级绕组设有初级骨架、第一初级绝缘层、第一初级漆包线层、第二初级绝缘层、第二初级漆包线层、第三初级绝缘层、第三初级漆包线层、第四初级绝缘层；所述反馈绕组包括反馈骨架、反馈漆包线层、反馈绝缘层，所述第一次级绕组包括第一次级骨架、第一次级漆包线层和第一次级绝缘层，所述第二次级绕组包括第二次级骨架、第二次级漆包线层和第二次级绝缘层，所述第一E型铁芯包括第一铁芯臂、第二铁芯臂、第三铁芯臂和第四铁芯臂，所述第二E型铁芯包括第五铁芯臂、第六铁芯臂、第七铁芯臂和第八铁臂，包括下列步骤：

S1，组装初级绕组步骤：在组装初级绕组时，先绕制第一初级绝缘层，即在所述初级骨架上缠绕一层绝缘胶带；

然后在所述第一初级绝缘层径向外侧绕制所述第一初级漆包线层，即在所述第一初级绝缘层径向外侧从下至上缠绕28匝漆包线，其中所述第一初级漆包线层的始端与位于所述初级骨架下部的第一初级引脚焊接，所述第一初级漆包线层的末端与位于所述初级骨架上部的第二初级引脚焊接；

然后在所述第一初级漆包线层径向外侧绕制所述第二初级绝缘层，即在所述第一初级漆包线层径向外侧缠绕一层绝缘胶带；

然后在所述第二初级绝缘层径向外侧绕制所述第二初级漆包线层，即在所述第二初级绝缘层径向外侧从下至上缠绕27匝漆包线，其中所述第二初级漆包线层的始端与位于所述初级骨架下部的第一初级引脚焊接，所述第二初级漆包线层的末端与位于所述初级骨架上部的第二初级引脚焊接；

然后在所述第二初级漆包线层径向外侧绕制所述第三初级绝缘层，即在所述第二初级漆包线层径向外侧缠绕绝缘胶带；

然后在所述第三初级绝缘层径向外侧绕制所述第三初级漆包线层，即在所述第三初级绝缘层径向外侧从下至上缠绕21匝漆包线，其中所述第三初级漆包线层的始端与位于所述初级骨架下部的第一初级引脚焊接，所述第三初级漆包线层的末端与位于所述初级骨架上部的第二初级引脚焊接；

然后在所述第三初级漆包线层径向外侧缠绕所述第四初级绝缘层，即在所述第三初级漆包线层径向外侧缠绕绝缘胶带；

S2，组装反馈绕组步骤：在组装反馈绕组时，先绕制所述反馈漆包线层，即在所述反馈骨架上从下至上以双股并绕的方式缠绕28匝漆包线，其中所述反馈漆包线层的始端与位于所述反馈骨架上部的第一反馈引脚焊接，所述反馈漆包线层的末端与位于所述反馈骨架下部的第二反馈引脚焊接；

然后在所述反馈漆包线层径向外侧绕制反馈绝缘层，即在所述反馈漆包线层径向外侧缠绕绝缘胶带；