[发明专利]复合靶气相沉淀制备晶界扩散稀土永磁材料的方法有效

专利信息
申请号: 201510230782.2 申请日: 2015-05-07
公开(公告)号: CN104900359B 公开(公告)日: 2017-09-12
发明(设计)人: 周磊;刘涛;林德;喻晓军 申请(专利权)人: 安泰科技股份有限公司
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F41/02;C23C14/24
代理公司: 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙)11387 代理人: 刘春成,荣红颖
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 复合 靶气相 沉淀 制备 扩散 稀土 永磁 材料 方法
【权利要求书】:

1.一种复合靶气相沉淀制备晶界扩散稀土永磁材料的方法,其特征在于,包括如下操作步骤:

步骤一,复合靶材的制备,所述复合靶材具有如下化学式H100-x-yMxQy,其中,H为Dy或/和Tb,M为Nd或/和Pr,Q为Cu、Al、Zn和Sn中的一种或多种,x、y为所述复合靶材中各成分的原子百分含量,x=0-5、y=1-10;所述复合靶材的尺寸为:厚度为0.5-3mm、长度为180-300mm和宽度为100-240mm;

步骤二,将烧结NdFeB磁体加工成规定形状和尺寸,随后进行表面清理及干燥,从而得到待处理NdFeB磁体;

步骤三,将所述复合靶材和所述待处理NdFeB磁体依次交替叠置于处理设备中,且最上层和最底层均为所述复合靶材,以所述复合靶材作为蒸发源,在规定条件下使所述待处理NdFeB磁体表面包覆金属膜并发生晶界扩散,之后随炉冷却,从而得到扩散后的NdFeB磁体;所述规定条件如下:保温温度为650-750℃,保温时间为20-50h;

步骤四,将所述扩散后的NdFeB磁体进行回火处理,使晶界相均匀包裹在主相粒子外,从而得到性能提高的磁体。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述复合靶材为Tb95Cu5、Tb98Al2或Tb95.9Dy0.4Nd0.7Zn2Sn1

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤一中,所述复合靶材是通过如下方法制备的:按照所述复合靶材各成分的原子百分含量称取相应原料,依次经冶炼、浇铸、锻造、热轧、冷轧以及机械加工,形成规定尺寸的复合靶材。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述冶炼采用真空中频感应炉冶炼,真空度不高于10-2Pa。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤二中,所述表面清理的过程如下:首先将所述NdFeB磁体放入除油槽中浸泡10-15min以去除磁体表面的油污,然后依次经第一次水洗、酸洗、第二次水洗及超声波处理,最后风干所述NdFeB磁体表面。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述酸洗的时间为20-45s,所述超声波处理的时间为20-45s。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述待处理NdFeB磁体的取向方向控制在1-8mm厚度。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤三中,一块所述待处理NdFeB磁体夹置于两块所述复合靶材之间,且所述复合靶材的表面积大于所述待处理NdFeB磁体的表面积。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤三中,所述规定条件的真空度为不大于10-3Pa;所述随炉冷却至不高于50℃。

10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤四中,所述回火处理条件为:回火温度为420-640℃,回火时间为2-10h,之后采用自然冷却的方式冷却至室温。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安泰科技股份有限公司,未经安泰科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510230782.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top