[发明专利]FinFET器件的结构和形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

隔离结构，位于所述半导体衬底上方；

第一外延鳍和第二外延鳍，位于所述半导体衬底上方，其中，所述第一外延鳍和所述第二外延鳍从所述隔离结构中突出；

栅极堆叠件，位于所述第一外延鳍和所述第二外延鳍上方且横跨所述第一外延鳍和所述第二外延鳍；以及

凹槽，从所述隔离结构的顶面处开始延伸，其中，所述凹槽介于所述第一外延鳍和所述第二外延鳍之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极堆叠件包括金属材料。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一外延鳍和所述第二外延鳍的材料彼此不同。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二外延鳍包括磷化硅、碳化硅或它们的组合。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一外延鳍包括硅锗。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述凹槽的延伸方向与所述第一外延鳍和所述第二外延鳍的延伸方向平行。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一接触件，位于所述半导体衬底上方且电连接至所述第一外延鳍；

第二接触件，位于所述半导体衬底上方且电连接至所述第二外延鳍；以及

介电层，位于所述半导体衬底上方且围绕所述第一接触件和所述第二接触件。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一接触件填充所述凹槽，并且所述第一外延鳍包括p型外延鳍。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二接触件填充所述凹槽，并且所述第二外延鳍包括n型外延鳍。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述介电层填充所述凹槽。

11.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

隔离结构，位于所述半导体衬底上方；

n型外延鳍和p型外延鳍，位于所述半导体衬底上方，其中，所述n型外延鳍和所述p型外延鳍从所述隔离结构中突出；

栅极堆叠件，位于所述n型外延鳍和所述p型外延鳍上方且横跨所述n型外延鳍和所述p型外延鳍；以及

凹槽，从所述隔离结构的顶面处开始延伸，其中，所述凹槽介于所述n型外延鳍和所述p型外延鳍之间。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述栅极堆叠件包括金属材料。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述凹槽的延伸方向与所述n型外延鳍和所述p型外延鳍的延伸方向平行。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：

第一接触件，位于所述半导体衬底上方且电连接至所述p型外延鳍；

第二接触件，位于所述半导体衬底上方且电连接至所述n型外延鳍；以及

介电层，位于所述半导体衬底上方且围绕所述第一接触件和所述第二接触件。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述第一接触件和所述第二接触件中的一个填充所述凹槽。

16.一种形成半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上方形成第一鳍和第二鳍；

在所述半导体衬底上方形成隔离结构以围绕所述第一鳍的下部和所述第二鳍的下部；

在所述第一鳍上方和所述第二鳍上方形成栅极堆叠件，其中，所述栅极堆叠件横跨所述第一鳍和所述第二鳍；以及

分别在所述第一鳍和所述第二鳍上方顺序地形成第一外延鳍和第二外延鳍，其中，在形成所述第一外延鳍之后和在形成所述第二外延鳍之前在所述隔离结构中形成凹槽，并且所述凹槽介于所述第一外延鳍和所述第二外延鳍之间。

17.根据权利要求16所述的形成半导体器件的方法，其中，顺序地形成所述第一外延鳍和所述第二外延鳍的步骤包括：

在所述第二鳍上方形成第一掩模层；

在形成所述第一掩模层之后在所述第一鳍上方形成所述第一外延鳍；

去除所述第一掩模层；

在所述第一外延鳍上方形成第二掩模层；

在形成所述第二掩模层之后在所述第二鳍上方形成所述第二外延鳍；以及

去除所述第二掩模层。