[发明专利]Flash芯片读写控制电路和方法、AMOLED应用电路

权利要求书

1.一种用于Flash芯片的读写控制电路，包括：

时序控制电路，其生成用于所述Flash芯片的读写时序信号；以及

与所述Flash芯片相分离的第一非易失性存储器，其用于存储与所述Flash芯片中的多个分区对应的多个标志位，所述标志位中的每一个指示与其对应的一个分区是否被正常写入；

其中，所述时序控制电路被配置成当对所述Flash芯片中的一个分区写入数据时执行以下操作：

生成将要写入的所述分区中的原有数据复制到一个非易失性备份存储区的时序信号；

控制所述第一非易失性存储器将与要写入的所述分区对应的标志位设置为指示异常写入的第一值；

生成将要写入的所述分区擦除的时序信号；

生成将要写入的数据写入到所述分区的时序信号；以及

在写入完成后将与所述分区对应的所述标志位设置为指示正常写入的第二值；并且

其中，所述时序控制电路还被配置成在重新通电后，当从所述Flash芯片中的一个分区读取数据时，根据所述第一非易失性存储器中的所述标志位的指示，确定数据是从所述Flash芯片的所述分区还是从所述非易失性备份存储区读取。

2.根据权利要求1所述的读写控制电路，其中，所述时序控制电路还被配置成当从所述Flash芯片中的一个分区读取数据时，如果所述第一非易失性存储器中的所述标志位为所述第二值，则生成从所述分区读取数据的时序信号，或者，如果所述第一非易失性存储器中的所述标志位为所述第一值，则生成从所述非易失性备份存储区读取数据的时序信号。

3.根据权利要求1所述的读写控制电路，其中，所述非易失性备份存储区为所述Flash芯片中的一个分区。

4.根据权利要求1所述的读写控制电路，其中，所述非易失性备份存储区被映射到与所述Flash芯片相分离的非易失性存储设备中。

5.根据权利要求4所述的读写控制电路，其中，所述非易失性存储设备的存储空间具有大于或等于所述Flash芯片的一个分区的大小。

6.根据权利要求1所述的读写控制电路，其中，所述非易失性备份存储区被映射到所述第一非易失性存储器。

7.根据权利要求1所述的读写控制电路，其中，所述第一非易失性存储器为电可擦除可编程只读存储器。

8.一种用于Flash芯片的读写控制方法，包括：

当对所述Flash芯片中的一个分区写入数据时：

生成将要写入的所述分区中的数据复制到一个非易失性备份存储区的时序信号；

将与要写入的所述分区对应的标志位设置为指示异常写入的第一值，所述标志位存储在与所述Flash芯片相分离的第一非易失性存储器中；

生成将所述分区擦除的时序信号；

生成将要写入的数据写入到所述分区的时序信号；以及

在写入完成后将与所述分区对应的所述标志位设置为指示正常写入的第二值；

并且，在重新通电时，当从所述Flash芯片中的一个分区读取数据时，根据所述标志位的指示，确定是从所述Flash芯片的所述分区还是从所述非易失性备份存储区读取数据。

9.根据权利要求8所述的读写控制方法，其中，当从所述Flash芯片中的一个分区读取时，如果所述标志位为所述第二值，则生成从所述分区读取的时序信号，或者，如果所述标志位为所述第一值，则生成从所述非易失性备份存储区读取的时序信号。

10.一种AMOLED应用电路，包括Flash芯片和如权利要求1-7中任一项所述的读写控制电路，其中，所述Flash芯片用于存储AMOLED的电学补偿数据，并且所述读写控制电路用于控制向所述Flash芯片写入所述电学补偿数据和从所述Flash芯片读取所述电学补偿数据。