[发明专利]新型的旋磁铁氧体基片的平整化方法在审
| 申请号： | 201510231478.X | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104775093A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 邹延珂;倪经;周俊;陈彦;黄豹;郭韦 | 申请（专利权）人： | 西南应用磁学研究所 |
| 主分类号： | C23C14/10 | 分类号： | C23C14/10;C23C14/34;H01J37/32 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 胡吉科 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 磁铁 氧体基片 平整 方法 | ||
1.一种新型的旋磁铁氧体基片的平整化方法，包括如下步骤：
（1）清洗旋磁铁氧体基片，使用去离子水在超声波清洗机中对基片进行清洗；
（2）基片放入，将旋磁铁氧体基片装入真空腔室；
（3）腔室抽真空，开启机械泵、分子泵对真空腔室进行高真空排气处理；
（4）基片加热，开启加热器，将旋磁铁氧体基片进行加热处理；
（5）基片表面清洁，将旋磁铁氧体基片进行离子轰击处理；
（6）制备Si02薄膜，充入溅射气氛Ar气，开启溅射电源，进行Si02薄膜制备；
（7）基片降至室温后取出。
2.根据权利要求1所述的旋磁铁氧体基片的平整化方法，其特征在于：所述步骤（1）中，所述超声波清洗机的设定为：时间为5～20分钟，功率为50～200W，频率为10～100KHz。
3.根据权利要求1所述的旋磁铁氧体基片的平整化方法，其特征在于：所述步骤（1）中，去离子水的电阻大于18MΩ。
4.根据权利要求1所述的旋磁铁氧体基片的平整化方法，其特征在于：所述步骤（2）中，将清洗完毕的旋磁铁氧体基片用高纯度N2气枪吹N2气对基片进行清洁，清洁完毕将旋磁铁氧体基片装入真空腔室，N2气压强为0.2～0.5MPa。
5.根据权利要求1所述的旋磁铁氧体基片的平整化方法，其特征在于：所述步骤（3）中，压强为1.0×10-4～9.0×10-5Pa。
6.根据权利要求1所述的旋磁铁氧体基片的平整化方法，其特征在于：所述步骤（4）中，加热温度为150～300oC，时间为20～60min。
7.根据权利要求1所述的旋磁铁氧体基片的平整化方法，其特征在于：所述步骤（5）中，离子轰击的功率为100～200W，时间400～600s。
8.根据权利要求1所述的旋磁铁氧体基片的平整化方法，其特征在于：所述步骤（6）中，Ar气流量为50～100sccm，溅射电源功率为150～300W，溅射时间为500～1500s。
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