[发明专利]一种LVDT正弦激励信号生成电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种激励信号产生电路，尤其涉及一种LVDT正弦激励信号生成电路。

背景技术

LVDT(Linear Variable Differential Transformer)指的是线性可变差动变压器，属于直线位移传感器。工作原理简单地说就是铁芯可动的变压器。它包含一个初级线圈，两个次级线圈，铁芯，线圈骨架和外壳。LVDT传感器初级线圈接收具备驱动能力的正弦波信号激励后，在LVDT次级线圈即可得到相应的输出信号。如果正弦波信号驱动能力不足将造成激励信号畸变，进而影响LVDT输出信号，因此必须增加一级驱动，提高信号的驱动能力。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的缺陷，提供一种LVDT正弦激励信号生成电路，其能够提高LVDT正弦波激励信号的驱动能力，抑制共模噪声，提高共模抑制比，将LVDT传感器的输出信号放大，并且滤除共模噪声，同时将双端信号变换为单端信号，增强性能，减小体积。

实现上述目的的一种技术方案是：一种LVDT正弦激励信号生成电路，所述全差分衰减放大器芯片上设有第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚、第六引脚、第七引脚、第八引脚和第九引脚，其中所述单刀双掷开关连接的两端对应连接所述第九引脚和所述第八引脚；所述第二引脚、所述第四引脚、所述第一引脚连接接地端；所述第五引脚与所述初级线圈的同名端连接；所述第六引脚与所述初级线圈的非同名端连接；

所述仪表放大器芯片上设有第十一引脚、第十二引脚、第十三引脚、第十四引脚、第十五引脚、第十六引脚、第十七引脚和第十八引脚，其中所述第十二引脚与所述第二次级线圈的同名端连接；所述第十三引脚与所述第一次级线圈的同名端连接；

所述滤波电容的一端与所述第十二引脚连接，另一端与所述第十三引脚连接；

所述增益电阻与所述增益电位器依次串联连接在所述第十一引脚和所述第十八引脚之间，所述增益电位器的与所述第十八引脚连接。所述增益电阻与所述第十一引脚连接。

进一步的，所述全差分衰减放大器芯片为亚诺德公司的AD8475芯片。

进一步的，所述仪表放大器芯片为德州仪器的INA333芯片。

采用了本发明的一种LVDT正弦激励信号生成电路，包括全差分衰减放大器芯片、单刀双掷开关、初级线圈、第一次级线圈、第二次级线圈、滤波电容、增益电阻、增益电位器、仪表放大器芯片。其中全差分衰减放大器芯片包括第一至第九引脚，第九引脚、第八引脚与所述单刀双掷开关连接；第五引脚与初级线圈的同名端连接；第六引脚与初级线圈的非同名端连接；仪表放大器芯片包括第十一至第十八引脚，第十二引脚与所述第二次级线圈的同名端连接；第十三引脚与第一次级线圈的同名端连接，其技术效果是：提高LVDT正弦波激励信号的驱动能力，抑制共模噪声，提高共模抑制比，增强性能，减小体积。

附图说明

图1为本发明一种LVDT正弦激励信号生成电路的全差分衰减放大电路原理图；

图2为本发明一种LVDT正弦激励信号生成电路的仪表放大电路原理图。

具体实施方式

为了使本技术领域的技术人员能更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对其具体实施方式进行详细地说明：

请参阅图1与图2，本发明的一种LVDT正弦激励信号生成电路，包括全差分衰减放大器芯片1、单刀双掷开关3、初级线圈4、第一次级线圈5、第二次级线圈6、滤波电容7、增益电阻8、增益电位器9和仪表放大器芯片2。

全差分衰减放大器芯片1，选用亚诺德公司的AD8475放大器，可提供精密衰减、共模电平转换、单端差分转换及输入过压保护功能，全差分衰减放大器芯片1上设有第一引脚11、第二引脚12、第三引脚13、第四引脚14、第五引脚15、第六引脚16、第七引脚18、第八引脚19和第九引脚110，其中单刀双掷开关3的两端对应与第九引脚110和第八引脚19连接，单刀双掷开关3可改变全差分衰减放大器芯片1的增益。

全差分衰减放大器芯片1的第五引脚15与初级线圈4的同名端连接。

全差分衰减放大器芯片1的第六引脚16与初级线圈4的非同名端连接。

差分输出电压指定义为：

V_OUT，dm＝(V_+OUT-V_-OUT)

其中，V_+OUT和V_-OUT分别指第五引脚15和第六引脚16相对于第二引脚12、第四引脚14、第一引脚11所连接的接地端的电压。