[发明专利]单相H桥逆变器的波形发生方法在审
申请号: | 201510232380.6 | 申请日: | 2015-05-08 |
公开(公告)号: | CN104811080A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 单升华;苗永强 | 申请(专利权)人: | 北京阿启蒙技术有限公司 |
主分类号: | H02M7/5387 | 分类号: | H02M7/5387;H02M1/12;H02P27/08 |
代理公司: | 北京国帆知识产权代理事务所(普通合伙) 11334 | 代理人: | 李增朝 |
地址: | 100102 北京市朝阳区望*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单相 逆变器 波形 发生 方法 | ||
1.一种单相H桥逆变器的波形发生方法,所述单相H桥逆变器包括四个绝缘栅双极型晶体管,其特征在于,所述波形发生方法包括:
系统上电;
脉冲宽度调制波形发生中断后,将所述单相H桥逆变器的四个绝缘栅双极型晶体管根据配置规则进行设置,所述配置规则为:
H桥中的其中一个绝缘栅双极型晶体管为常开,与之相对角的另外一个绝缘栅双极型晶体管为脉冲宽度调制,其他的两个绝缘栅双极型晶体管为常关;所述四个绝缘栅双极型晶体管轮流进行脉冲宽度调制。
2.根据权利要求1所述的波形发生方法,其特征在于,在所述脉冲宽度调制波形发生中断后,还包括以下步骤:
计算旋转电压矢量相位角;
判断所述旋转电压矢量相位角是否大于360°,如果是,则用所述旋转电压矢量相位角的度数减去360°后,再赋值给所述旋转电压矢量相位角,直至所述旋转电压矢量相位角的度数小于或者等于360°;
检测脉冲宽度调制波形发生中断时的正弦波周期为奇次或者偶次。
3.根据权利要求2所述的波形发生方法,其特征在于,所述四个绝缘栅双极型晶体管包括:第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管、第三绝缘栅双极型晶体管和第四绝缘栅双极型晶体管,所述第一绝缘栅双极型晶体管与所述第四绝缘栅双极型晶体管为相互对角设置,所述第二绝缘栅双极型晶体管与所述第三绝缘栅双极型晶体管为相互对角设置。
4.根据权利要求3所述的波形发生方法,其特征在于,所述配置规则为:
所述脉冲宽度调制波形发生中断时的周期为奇次,且所述旋转电压矢量相位角位于0°至180°之间时,设置所述第一绝缘栅双极型晶体管为脉冲宽度调制状态,设置所述第四绝缘栅双极型晶体管为常开,设置所述第二绝缘栅双极型晶体管和所述第三绝缘栅双极型晶体管为常关;
所述脉冲宽度调制波形发生中断时的周期为奇次,且所述旋转电压矢量相位角位于180°至360°之间时,设置所述第二绝缘栅双极型晶体管为脉冲宽度调制状态,设置所述第三绝缘栅双极型晶体管为常开,设置所述第一绝缘栅双极型晶体管和所述第四绝缘栅双极型晶体管为常关;
所述脉冲宽度调制波形发生中断时的周期为偶次,且所述旋转电压矢量相位角位于0°至180°之间时,设置所述第四绝缘栅双极型晶体管为脉冲宽度调制状态,设置所述第一绝缘栅双极型晶体管为常开,设置所述第二绝缘栅双极型晶体管和所述第三绝缘栅双极型晶体管为常关;
所述脉冲宽度调制波形发生中断时的周期为偶次,且所述旋转电压矢量相位角位于180°至360°之间时,设置所述第三绝缘栅双极型晶体管为脉冲宽度调制状态,设置所述第二绝缘栅双极型晶体管为常开,设置所述第一绝缘栅双极型晶体管和所述第四绝缘栅双极型晶体管为常关。
5.根据权利要求1所述的波形发生方法,其特征在于,在系统上电后,将正弦波脉冲宽度调制的周期奇偶变量和正弦波旋转电压矢量相位角进行初始化。
6.根据权利要求5所述的波形发生方法,其特征在于,
将正弦波脉冲宽度调制的周期奇偶变量初始化为0;
将正弦波旋转电压矢量相位角初始化为0°。
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