[发明专利]结晶性层叠结构体、半导体装置

权利要求书

1.一种结晶性层叠结构体，其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，

其特征在于，

所述氧化物半导体含有的主要成分是铟和/或镓，

所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗、硅、钛、锆、钒或铌。

2.根据权利要求1所述的结晶性层叠结构体，其中，

所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗。

3.根据权利要求1或2所述的结晶性层叠结构体，其中，

所述结晶性氧化物半导体薄膜实质上不含有碳。

4.根据权利要求1～3的任意一项中所述的结晶性层叠结构体，其中，

所述结晶性氧化物半导体薄膜中的锗、硅、钛、锆、钒或铌的浓度为1×10¹⁶/cm³～1×10²²/cm³。

5.根据权利要求1～3的任意一项中所述的结晶性层叠结构体，其中，

所述结晶性氧化物半导体薄膜中的锗、硅、钛、锆、钒或铌的浓度为1×10¹⁷/cm³以下。

6.根据权利要求1～3的任意一项中所述的结晶性层叠结构体，其中，

所述结晶性氧化物半导体薄膜中的锗、硅、钛、锆、钒或铌的浓度为1×10²⁰/cm³以上。

7.根据权利要求1～6的任意一项中所述的结晶性层叠结构体，其中，

所述氧化物半导体为α型In_XAl_YGa_ZO₃。

其中，0≦X≦2、0≦Y≦2、0≦Z≦2、X+Y+Z＝1.5～2.5、0＜X或0＜Z。

8.一种半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置由权利要求1～7中的任意一项中所述的结晶性层叠结构体构成。

9.一种半导体装置，其特征在于。

所述半导体装置具备权利要求1～7中的任意一项中所述的结晶性层叠结构体和电极。

10.一种半导体装置，其具备半导体层和电极，

该半导体层由结晶性氧化物半导体薄膜构成，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，

其特征在于，

所述氧化物半导体含有的主要成分为铟和/或镓，

所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗、硅、钛、锆、钒或铌。

11.根据权利要求8～10的任意一项中所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置是立式设备。

12.根据权利要求8～11的任意一项中所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置是功率器件。

13.根据权利要求8～12的任意一项中所述的半导体装置，

所述半导体装置是肖特基势垒二极管(SBD)、金属半导体场效应晶体管(MESFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、静电感应晶体管(SIT)、结型场效应晶体管(JFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)或发光二极管(LED)。

14.根据权利要求8～13的任意一项中所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置是肖特基势垒二极管(SBD)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、金属半导体场效应晶体管(MESFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)或静电感应晶体管(SIT)。