[发明专利]一种制作球面硅微通道板的装置及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510232926.8 申请日: 2015-05-08
公开(公告)号: CN105016293B 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: 王连卫;张弛;李劢;朱一平;徐少辉 申请(专利权)人: 华东师范大学;上海欧普泰科技创业有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;H01J9/00
代理公司: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司31227 代理人: 吴泽群
地址: 200062 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 制作 球面 通道 装置 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种制作球面硅微通道板的制作方法,其特征在于:其步骤如下:

(1)将平面硅微通道板激光切割成所需形状大小;

(2)将切割好的平面硅微通道板装载在模具台的台阶孔中;

(3)连同模具台一起进行热氧化,形成球面硅微通道板;氧化采用硅工艺的热氧化工艺,采用干氧-湿氧-干氧的工艺顺序,有效形成较高质量的二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的一种制作球面硅微通道板的制作方法,其特征在于:步骤2)中,切割好的平面硅微通道需要进行清洗。

3.根据权利要求1所述的一种制作球面硅微通道板的制备方法,其特征在于:

(1)经过激光切割,获得一定直径的圆片型硅微通道板,其大小由平面硅微通道的大小决定,直径不大于平面硅微通道的最大直径;

(2)将切割好的圆片型硅微通道板在3号液中清洗30分钟,冲洗干净后在1号液中清洗10分钟,再冲洗干净后,在2号液中清洗10分钟;

(3)将清洗干净的小圆片,在热台上烘干,温度可以设置在50℃至90℃之间;

(4)将圆片型硅微通道板放置在模具台的台阶孔内,然后将重压片覆盖在模具台上部;

(5)将模具台连同石英架送入氧化炉中,氧化温度设置为900℃ 至1100℃,进气量控制在1L/min至5L/min,采用干氧-湿氧-干氧的工艺顺序,干氧的时长控制在10min至30min,湿氧的时长可以根据所需要球面硅微通道板的曲率半径来选择,一般不超过3小时;

(6)待氧化完,取出模具台,即可得到球面硅微通道板。

4.权利要求1所述球面硅微通道板制作方法的专用装置,包括切割成圆形的硅微通道板,其特征在于:所述的硅微通道板置于一模具台中,所述的模具台由中心设有与硅微通道板大小匹配的台阶孔,硅微通道板置于台阶孔中;模具台上设置有重压片,所述重压片完全覆盖台阶孔;模具台置于一石英架上;将石英架、模具台、重压片和硅微通道板置于氧化炉管中。

5.根据权利要求1所述的专用装置,其特征在于:所述的台阶孔的横截面为圆形、椭圆、方形或棱形。

6.根据权利要求1所述的专用装置,其特征在于:所述的重压片与模具台大小相同。

7.根据权利要求1所述的专用装置,其特征在于:所述重压片与模具台上表面密闭。

8.根据权利要求3(2)所述的溶剂,1号液为一定配比的H2O2和H2SO4溶液;2号液位为一定配比的NH4OH、H2O2和H2O溶液;3号液为一定配比的HCl、H2O2和H2O溶液。

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