[发明专利]场效应晶体管和其制造方法及显示器在审
| 申请号： | 201510232927.2 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104952931A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 徐洪远;萧祥志;苏长义 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/28;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;刘华联 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 显示器 | ||
1.一种场效应晶体管，其包括：
相互间隔开设置的源极和漏极，
设置于所述源极和漏极之间的半导体层，
处于所述半导体层的一侧的第一栅极层，以及
处于所述半导体层的另一侧的第二栅极层。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第一栅极层沿竖直方向上的投影覆盖所述源极和漏极。
3.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第一栅极层与所述半导体层通过第一隔离层间隔开，所述第二栅极层与所述半导体层通过第二隔离层间隔开。
4.根据权利要求3所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第二栅极层沿竖直方向上的投影覆盖所述源极和漏极。
5.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，其特征在于，所述半导体层延伸以容纳所述源极和漏极。
6.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第一栅极层沿竖直方向上的投影覆盖所述半导体层。
7.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第二栅极层沿竖直方向上的投影覆盖所述半导体层。
8.一种制造根据权利要求1到7中任一项所述的场效应晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：
在第一栅极层上设置半导体完整膜，在所述半导体完整膜的另一侧设置光刻胶，所述半导体完整膜为透光的，所述第一栅极层为不透光的，
以所述第一栅极层作为掩膜对所述光刻胶进行曝光，以形成预定图案，
借助所述预定图案使所述半导体完整膜形成所述半导体层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述半导体完整膜的另一侧还设置有第二绝缘层完整膜，再在所述第二绝缘层完整膜的另一侧设置光刻胶，所述第二绝缘层完整膜为透光的，
以所述第一栅极层作为掩膜对所述光刻胶进行曝光，以形成预定图案，
借助所述预定图案使所述半导体完整膜形成所述半导体层，使所述第二绝缘层完整膜形成所述第二绝缘层。
10.一种显示器，其包括根据权利要求1到7中任一项所述的场效应晶体管。
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