[发明专利]一种高频水平双扩散氧化物半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510233171.3 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN106206724B | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;邱海亮;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高频 水平 扩散 氧化物 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
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