[发明专利]包括箝位结构的集成电路和调整箝位晶体管阈值电压方法

权利要求书

1.一种集成电路（100），包括：

负载晶体管（102），包括第一和第二负载端子和负载控制端子；

箝位结构（110），包括箝位晶体管（112），所述箝位晶体管（112）包括第一和第二箝位晶体管负载端子和控制栅端子，其中箝位晶体管（112）电耦合在负载控制端子和第一负载端子之间，并且负载晶体管（102）的箝位电压由箝位晶体管（112）的阈值电压Vth确定，其中箝位晶体管（112）包括电连接到控制栅端子的控制栅电极（245）和在控制栅电极和半导体本体之间的电荷存储（249）结构。

2.根据权利要求1所述的集成电路（100），其中，箝位结构（110）被配置为通过在阈值电压上方接通箝位晶体管（112）来对第一负载端子和第二负载端子之间的电压进行箝位。

3.根据权利要求1所述的集成电路（100），其中阈值电压范围在第一和第二负载端子之间的负载晶体管（102）的击穿电压70%和99%之间。

4.根据权利要求1所述的集成电路（100），其中第二箝位晶体管负载端子经由介于中间的二极管（131）电耦合到负载控制端子。

5.根据权利要求4所述的集成电路（100），其中第一箝位晶体管负载端子经由介于中间的电阻器（130）电耦合到控制栅端子。

6.根据权利要求5所述的集成电路（100），其中负载晶体管（102）、箝位晶体管（112）、介于中间的二极管（131）和介于中间的电阻器（130）是单片集成的。

7.根据权利要求4所述的集成电路（100），进一步包括电耦合在介于中间的二极管（131）和负载控制端子之间的负载控制电阻器（1331）。

8.根据权利要求1所述的集成电路（100），其中在关断的栅极处，在第一和第二箝位晶体管负载端子之间的箝位晶体管（112）的击穿电压大于阈值电压Vth。

9.根据权利要求1所述的集成电路（100），其中在关断的控制栅处，在第一和第二箝位晶体管负载端子之间的箝位晶体管（112）的击穿电压大于在第一和第二负载端子之间的负载晶体管（102）的击穿电压的90%。

10.根据权利要求1所述的集成电路（100），其中隧穿电介质（247）被布置在电荷存储结构（249）和半导体本体之间，而栅电介质（248）被布置在控制栅电极（245）和电荷存储结构（249）之间。

11.根据权利要求10所述的集成电路（100），其中隧穿电介质（247）的厚度范围在3nm和15nm之间，而栅电介质（248）的厚度范围在150nm和30μm之间。

12.根据权利要求1所述的集成电路（100），其中电荷存储结构（249）是浮栅电极和氮化硅层中的一个。

13.根据权利要求1所述的集成电路（100），其中箝位晶体管（112）的阈值电压Vth大于30V。

14.根据权利要求1所述的集成电路（100），其中箝位晶体管（112）包括多个箝位晶体管单元，每一个箝位晶体管单元包括第一和第二箝位晶体管单元负载端子和控制栅单元端子，第一箝位晶体管单元端子被电连接，第二箝位晶体管单元端子被电连接，以及控制栅单元端子被电连接。

15.根据权利要求1所述的集成电路（100），其中箝位晶体管（112）包括场板、掺杂环结构、横向变化掺杂结构、结型终止延伸结构、沟槽结构中的至少一个的边缘终止结构。

16.根据权利要求15所述的集成电路（100），其中箝位晶体管（112）和负载晶体管（102）包括相同类型的边缘终止结构。