[发明专利]一种碳化硅陶瓷表面处理方法有效
| 申请号： | 201510234570.1 | 申请日： | 2015-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN104876648B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 魏汝斌;李锋;翟文;梁勇芳;张文婷;陈青香 | 申请（专利权）人： | 山东三达科技发展有限公司;中国兵器工业集团第五三研究所 |
| 主分类号： | C04B41/91 | 分类号： | C04B41/91;C04B35/565 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250031 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 陶瓷 表面 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅陶瓷表面处理方法，包括预处理、表面处理和后处理过程，其特征在于：预处理的清洗过程采用质量浓度5％～10％的三氯乙烯的丙酮或酒精溶液为清洗液，室温浸泡1小时～2小时；表面处理包括表面控制腐蚀和表面偶联；表面控制腐蚀采用质量浓度为5％～20％的重铬酸钾水溶液作为表面腐蚀液，室温浸泡2小时～8小时；表面偶联过程采用质量浓度1％～5％的硅烷偶联剂乙醇溶液做为偶联剂，室温浸泡1分钟～5分钟。
2.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷表面处理方法，其特征在于：所述硅烷偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷(KH560)、γ-(甲基丙烯酰氧基)丙基三甲氧基硅烷(KH570)、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷(KH792)、乙烯基三乙氧基硅烷中的一种或其中几种的组合。
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