[发明专利]一种FTO-ZnO/CuO电极的制备方法

权利要求书

1.一种FTO-ZnO/CuO电极的制备方法，其特征在于，该方法的步骤如下：

1）将摩尔比为2~10:1的Zn(CH₃COO)₂和Cu (NO₃)₂磁力搅拌溶于去离子水，盐溶液总的摩尔浓度为0.85~1.1摩尔/升，同时加入冰乙酸，防止盐的水解沉淀；然后在溶液中加入质量为醋酸锌质量2.5~3倍的PVP和体积为去离子水体积4.5~5.5倍的乙醇，磁力搅拌6~10小时获得纺丝液（1）；

2）将纺丝液（1）滴加到FTO导电玻璃（7）上，通过旋涂仪使溶液均匀的平铺在FTO导电玻璃表面形成一层的旋涂层，将剩余的纺丝液（1）装入到带有毛细针管（2）的注射器（3）中，在毛细针管（2）和接地的FTO导电玻璃（7）间接高压电源（4），纺丝液在静电场的作用下克服自身的表面张力和粘滞力形成喷射细流，由微量注射泵（5）控制流率；随着溶剂挥发，喷射细流固化形成PVP-（Zn(CH₃COO)₂＋Cu (NO₃)₂）的复合纤维（6），以无序、随机的状态收集在经过涂覆处理的FTO导电玻璃（7）上；

3）将收集有复合纤维（6）的FTO导电玻璃（7）放入鼓风烘箱中，干燥后，放入马弗炉焙烧，保温5~7小时后，聚合物PVP完全去除，金属氧化物氧化分解，得到FTO-ZnO/CuO电极。

2.根据权利要求1所述的一种FTO-ZnO/CuO电极的制备方法，其特征在于：所述步骤2）中高压电源（4）的电压为13~15KV，微量注射泵（5）流率为0.012~0.015毫升/分钟，针尖到FTO导电玻璃（7）的距离为10~15厘米。

3.根据权利要求1所述的一种FTO-ZnO/CuO电极的制备方法，其特征在于：所述步骤3）中马弗炉焙烧的升温速率为50℃/h，焙烧温度为500~650℃。

4.根据权利要求1所述的一种FTO-ZnO/CuO电极的制备方法，其特征在于：所述步骤3）中所制得的FTO-ZnO/CuO电极，是以FTO导电玻璃（7）为基底，表面负载有旋涂层和纳米纤维层，旋涂层厚度为100±16 nm，纤维层厚度为1000±176 nm，且纤维直径为125±20nm。