[发明专利]X射线平板探测器在审
申请号: | 201510236165.3 | 申请日: | 2015-05-11 |
公开(公告)号: | CN104795419A | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 高锦成;曹占锋;孔祥春;姚琪;李正亮;张斌;何晓龙 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射线 平板 探测器 | ||
1.一种X射线平板探测器,包括衬底和设置于衬底上的薄膜晶体管、像素电极层、光电二极管、透明电极层、X射线转化层,其特征在于,所述X射线平板探测器还包括电场施加结构,用于形成一电场,所述光电二极管处于所述电场中,且所述电场的方向与所述光电二极管将可见光转换为电信号时正电荷的移动方向相同;
其中,所述电场施加结构包括:
正电极层,设置于所述衬底和所述光电二极管之间;其中,所述正电极层与所述薄膜晶体管的源/漏极同层同材料设置;或者,所述正电极层与所述薄膜晶体管的栅极同层同材料设置;或者,所述正电极层与所述像素电极层为同层、同材料且相互绝缘设置;
负电极层,设置于所述X射线转换层和所述光电二极管之间,且所述负电极层采用透光材料制成。
2.如权利要求1所述的X射线平板探测器,其特征在于,所述负电极层设置于所述透明电极层和所述X射线转换层之间,且所述透明电极层和所述负电极层之间设置有透光的绝缘层。
3.如权利要求1所述的X射线平板探测器,其特征在于,所述透明电极层和所述负电极层为同层、同材料且相互绝缘设置。
4.如权利要求3所述的X射线平板探测器,其特征在于,所述透明电极层包括多个相平行呈条状的第一透明电极,所述负电极层包括多个相平行呈条状的第一负电极,且所述第一透明电极和所述第一负电极平行,依次间隔设置。
5.如权利要求4所述的X射线平板探测器,其特征在于,所述透明电极层还包括与所述第一透明电极相垂直并分别连接各个所述第一透明电极的第二透明电极;所述负电极层还包括与所述第一负电极相垂直并分别连接各个所述第一负电极的第二负电极。
6.如权利要求1所述的X射线平板探测器,其特征在于,所述正电极层与所述薄膜晶体管的源/漏极同层同材料设置时,所述正电极层与所述薄膜晶体管的源/漏极之间具有预定间距。
7.如权利要求1所述的X射线平板探测器,其特征在于,所述薄膜晶体管与所述像素电极层之间设置有绝缘层,所述像素电极层通过所述绝缘层上的过孔与所述薄膜晶体管的源/漏极连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的