[发明专利]蚀刻剂组合物和制造薄膜晶体管阵列基板的方法

权利要求书

1.一种蚀刻剂组合物，基于所述蚀刻剂组合物的总重量100重量％，其包含：

5重量％～40重量％的过氧化氢；

0.1重量％～5重量％的蚀刻抑制剂；

0.1重量％～5重量％的螯合剂；

0.1重量％～5重量％的蚀刻添加剂；

0.1重量％～3重量％的氧化物半导体保护剂；

0.1重量％～3重量％的pH调节剂；和

剩余重量％的量的水，

其中，所述蚀刻添加剂为无机酸盐；

其中，所述蚀刻抑制剂是碳数为1～10且包含选自氧、硫和氮中的至少一个杂原子的杂环化合物。

2.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述蚀刻抑制剂是芳族杂环化合物和脂肪族杂环化合物中的一种。

3.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述螯合剂是包含氨基和羧基的化合物。

4.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述氧化物半导体保护剂是含胺基的化合物。

5.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述pH调节剂包含碳酸钠、氢氧化钠、氢氧化钾和氨中的至少一种。

6.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述蚀刻剂组合物具有3.5～6的pH值。

7.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，

包含20重量％～40重量％的所述过氧化氢。

8.一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法，所述方法包括；

在基板上形成栅极；

在设置有所述栅极的所述基板上形成栅绝缘膜；

用氧化物半导体在所述栅绝缘膜上形成半导体层；并且

在所述半导体层上形成源极和漏极，

其中，所述源极和所述漏极形成为双层结构，所述双层结构包括第一电极材料层和设置在所述第一电极材料层上的第二电极材料层；

其中，所述源极和漏极的形成包括：

在设置有所述半导体层的所述基板上形成所述第一电极材料层；

在所述第一电极材料层上形成所述第二电极材料层；并且

用权利要求1～7中任一项所述的蚀刻剂组合物蚀刻所述第一电极材料层和所述第二电极材料层。