[发明专利]低温多晶硅的制造方法及装置、多晶硅

权利要求书

1.一种低温多晶硅的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，在基板上制作出非晶硅层；

S2，使用激光器发出长条状激光透过具有由交替排列的全透光条纹和部分透光条纹组成的曝光图形的掩膜版扫描非晶硅层，在非晶硅层形成交替排列的低温熔融区和高温熔融区；

S3，低温熔融区向高温熔融区重结晶。

2.如权利要求1所述的低温多晶硅的制造方法，其特征在于，在扫描过程中，长条状激光与全透光条纹相垂直。

3.如权利要求1所述的低温多晶硅的制造方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

S11，在基板的上表面形成缓冲层；

S12，在缓冲层上形成非晶硅层；

S13，对缓冲层和非晶硅层进行去氢退火处理。

4.如权利要求3所述的低温多晶硅的制造方法，其特征在于，所述步骤S11具体包括：在基板的表面上依次形成氮化硅层和氧化硅层。

5.如权利要求4所述的低温多晶硅的制造方法，其特征在于，所述氮化硅层和氧化硅层的总厚度为所述非晶硅层的厚度为

6.如权利要求3所述的低温多晶硅的制造方法，其特征在于，所述步骤S11和步骤S12中均采用为等离子体增强化学气相沉积法形成缓冲层和非晶硅层。

7.如权利要求3所述的低温多晶硅的制造方法，其特征在于，所述步骤S13中所述的去氢退火处理的具体步骤为在380℃-420℃条件下进行140-160分钟的去氢退火。

8.如权利要求1至7任一项所述的低温多晶硅的制造方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

S21，在需要重结晶的非晶硅层的上方平行设置所述掩膜版；

S22，使用激光器发出长条状激光从所述掩膜版的上方透过掩膜版垂直扫描非晶硅层，在非晶硅层形成低温熔融区和高温熔融区。

9.如权利要求8所述的低温多晶硅的制造方法，其特征在于，所述激光的波长308nm、脉宽10-50ns。

10.如权利要求1至7任一项所述的低温多晶硅的制造方法，其特征在于，所述部分透光条纹的激光通透率为50％-65％。

11.如权利要求8所述的低温多晶硅的制造方法，其特征在于，所述部分透光条纹的激光通透率为50％-65％。

12.如权利要求9任一项所述的低温多晶硅的制造方法，其特征在于，所述部分透光条纹的激光通透率为50％-65％。

13.一种低温多晶硅的制造装置，其特征在于，包括：

基台，具有承载平台，用于承载基板；

支架，所述支架设于所述基台上，设有可在控制指令驱动下移动的移动机构；

激光器，其设于所述移动机构，且在所述移动机构的驱动下移动；所述激光器包括激光源、光转换装置和激光头，所述光转换装置的输入端与所述激光源连接，其输出端与所述激光头连接，用于对所述激光源产生的激光进行转换并由所述激光头射出长条状激光，所述激光头位于所述承载平台的上方，且其出射面与所述承载平台相平行；

掩膜版，设有部分透光条纹和全透光条纹；以及

掩膜版架，设于所述承载平台的上方，用于放置掩膜版。

14.如权利要求13所述的低温多晶硅的制造装置，其特征在于，所述激光源为氯化氙激光源。