[发明专利]一种提高接收天线吸收效率的实现方法在审

专利信息
申请号: 201510237174.4 申请日: 2015-05-11
公开(公告)号: CN104993237A 公开(公告)日: 2015-10-21
发明(设计)人: 秦卫平;何鲁平;姜成宇 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H01Q1/50 分类号: H01Q1/50
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 汪旭东
地址: 210023 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 接收 天线 吸收 效率 实现 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种提高接收天线吸收效率的方法,属于通信技术领域。

背景技术

雷达天线系统在现代众多飞行器设备中是一种必不可少的设备,然而雷达天线系统会在某些方向上产生非常大的RCS贡献,而且天线不同于普通的散射体,它是一个电磁场辐射体,在散射能量的同时,还要辐射能量,因此,实现天线的RCS减缩是非常重要的。

现代无线电技术的迅速发展,使得现代雷达技术对各种军用设备带来了致命的威胁。因此现在越来越多的国家的都重视提高军用设备的隐身能力,特别是提高军用设备上天线的隐身能力。目标隐身技术就是减小目标在雷达照射下的雷达散射截面(RCS),对于目标体上的接收天线来说,即目标隐身技术就是减小天线在雷达照射下的RCS。

接收天线吸收效率的提高就意味着接收天线RCS的减缩。因此,如何接收天线的吸收效率一直是接收天线研究的重要内容。而本发明能够很好地解决上面的问题。

发明内容

本发明目的在于提供了一种提高接收天线吸收效率的实现方法,该方法通过对接收天线加上接地板,提高了接收天线的吸收效率。

本发明解决其技术问题所采取的技术方案是:一种提高接收天线吸收效率的实现方法,该接收天线包括阵列天线和接地板。该阵列天线与接地板之间为空气介质,接地板和阵列天线为平行放置。线极化的均匀平面波正面垂直入射到置于接地板上方的阵列天线上,均匀平面波的极化方向平行于阵列天线单元方向。在相同的接收条件下,能够调节接地板、阵列天线之间的间距和接地板的尺寸。

本发明每个阵列天线单元都是半波偶极子天线,阵列天线的工作频率为f=2.45GHz,即,波长为λ=122.45mm,半波偶极子天线的长度为L=λ/2,半波偶极子天线之间的间距L1=λ/2,整个阵列天线的长度为a=3×L1,宽度为b=L。

本发明接地板与阵列天线之间的间距为L2=λ/4,通过调整有限接地板尺寸,可得接地板的长度超过阵列天线长度的那部分为2×a1,此时a1=λ/10,接地板的宽度超过阵列天线宽度的那部分为2×b1,此时b1=λ/4,接地板的长度A=4×L1,接地板的宽度B=1.4L。

在相同的接收条件下,接收阵列天线的每个阵列天线单元都要阻抗匹配,在此基础上加上接地板。

方法流程: 

步骤1:将每个阵列天线单元都设置为半波偶极子天线;

步骤2:阵列天线的组成为(1×4)阵列天线或者为(1×N),N为线天线单元个数;

步骤3:接收阵列天线的每个阵列天线单元都要进行阻抗匹配,然后加上导体接地平板;

步骤4:导体接地平板与阵列天线之间的间距为入射电磁波波长的四分之一;当天线单元数增加时,导体接地平板面积也相应增大;

步骤5:天线阵与导体接地平板一体化设计,构成一付高吸收效率的接收天线。

本发明所述方法在相同的接收条件下,通过调节阵列天线与接地板之间的间距以及接地板尺寸,置于接地板上方的阵列天线的雷达散射截面小于没有加上接地板的阵列天线的雷达散射截面。

本发明所述方法的接收天线为1×4阵列天线,每个阵列天线单元都是半波偶极子天线,阵列天线的工作频率为点频f=2.45GHz,即波长为λ=122.45mm。

本发明所述方法的半波偶极子天线的长度为L=λ/2,半波偶极子天线之间的间距L1=λ/2,整个阵列天线的长度a=3×L1,宽度b=L。

本发明所述方法的接地板和阵列天线平行放置,通过调整接地板与阵列天线之间的间距,得到接地板与阵列天线之间的间距L2=λ/4。

本发明所述方法通过调整接地板尺寸,得到接地板的长度超过阵列天线长度的那部分为2×a1,此时a1=λ/10,接地板的宽度超过阵列天线宽度的那部分为2×b1,此时b1=λ/4,接地板的长度A=4×L1,接地板的宽度B=1.4L。

本发明所述方法在相同的接收条件下,阵列天线的每个阵列天线单元都能阻抗匹配,然后加上接地板。

本发明所述方法的线极化的均匀平面波正面垂直入射到置于接地板上方的阵列天线上,均匀平面波的极化方向平行于阵列天线单元方向。

有益效果: 

1、本发明通过调节阵列天线与接地板之间的间距以及接地板尺寸,提高了阵列天线的吸收效率。

2、本发明提高了阵列天线吸收效率,并且简单易行,成本低廉。

附图说明

图1阵列天线的整体和正面的结构示意图;

标识说明:图1(c)为整体结构;图1(d)为正面结构。

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