[发明专利]碳包覆二氧化钛纳米片阵列与石墨烯复合电极材料及其制备方法有效
申请号: | 201510239386.6 | 申请日: | 2015-05-12 |
公开(公告)号: | CN104868112B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 张宗弢;王润伟;蒋尚 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01M4/485 | 分类号: | H01M4/485;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人: | 王淑秋,王恩远 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 碳包覆二 氧化 纳米 阵列 石墨 复合 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于锂离子电池技术领域,具体涉及一种碳包覆的二氧化钛纳米片阵列和石墨烯复合电极材料及其制备方法,该材料所表现出的电化学性能较好,能够在能源领域中得到应用。
背景技术
锂离子电池由于其能量密度高、循环性能好,得到了广泛的应用,进而在很多领域逐步的取代了传统铅酸电池等化学电源。随着社会的发展,能源和环境问题日益凸显,新能源产业得到了越来越多的重视。目前混合动力汽车和电动汽车行业的迅速发展,锂离子电池作为其中重要的储能装置被广泛的应用。
现在商业所用的负极电极材料以石墨为主,虽然石墨的成本低,但是其理论容量(372mAhg-1)较低,且安全性差等问题受到限制。二氧化钛是一种具有长寿命、安全环保等特性的高性能锂离子电池负极材料。与碳材料相比,其具有嵌锂电位高(1.7V vs Li/Li+),化学稳定性好,安全性高等优点,另外二氧化钛纳米片阵列由于具有二维的特殊结构使其具有更大的比表面积、孔径和孔体积、更强的吸附能力,有望更大程度的提高储锂性能。二维片状结构作为电极能极大程度的缩短锂离子的扩散路径,进而促进电池的倍率性能,但是它本身电子导电性较差,对其性能的发挥具有限制作用。
石墨烯是一种二维的碳单原子层结构,由于具有超薄的厚度,较大的比表面积,极高的导电率等优点,使其在电子技术、能量储存等领域得到广泛的应用。因此为了提高二氧化钛材料的导电性,将石墨烯和二氧化钛纳米片阵列复合到一起,会极大的提高材料的综合性能。到目前为止,将二氧化钛纳米片阵列长在石墨烯上仍然是一个重要的攻关课题。中国专利CN 104157833 A通过聚合物(苯乙烯嵌段共聚物)的引入,后经过高温碳化除去聚合物,得到石墨烯/二氧化钛复合多孔材料。中国专利CN 102496700 A先在10M的浓强碱性条件下反应,然后在经过酸交换,最后在经过高温焙烧合成出的石墨烯-二氧化钛纳米管复合材料。这些合成方法较复杂,合成成本较高,且对合成过程中所使用的设备要求较高。为了克服这些缺点,我们采用简单的溶剂热合成方法一步合成出碳包覆的二氧化钛纳米片阵列/石墨烯复合电极材料,该材料所表现出的电化学性能较好。
发明内容
本发明采用溶剂热法先合成出了垂直长在石墨烯基底上的含钛有机复合物纳米片阵列,然后在氢气和氩气混合气氛下热处理获得碳包覆的二氧化钛纳米片阵列与石墨烯的复合电极材料。通过复合提高了电极的导电性和锂离子电池的倍率性能和循环性能。
本发明中二氧化钛纳米片是由锐钛矿相纳米粒子组成,同时碳包覆的二氧化钛纳米片的厚度为8~10纳米。
所述的碳包覆二氧化钛纳米片阵列与石墨烯的复合电极材料的制备方法,具体操作步骤如下:
(1)将20~100mg氧化石墨烯超声分散在10~15mL醇中,超声处理30~120分钟,得到氧化石墨烯的醇溶液;
(2)将丙三醇、醇、无水乙醚混合,搅拌20~30min;
(3)将步骤(1)得到的氧化石墨烯溶液快速倾倒入搅拌状态下的步骤(2)得到的溶液中,搅拌10~30min;
(4)将0.4~1.0g钛源加入到步骤(3)的溶液中,搅拌4~6小时;
(5)将步骤(4)的溶液装入反应釜中,密闭后在自生压力下进行恒温晶化,待晶化完毕后离心,固体产物用无水乙醇洗涤,再在80~120℃空气中干燥1~2天,得到含钛的有机复合物纳米片阵列与石墨烯复合材料原粉;
(6)将上述原粉在氩气和氢气的混合气氛中焙烧,得到碳包覆的二氧化钛纳米片阵列与石墨烯复合材料。
所述步骤(1)和步骤(2)中的醇为甲醇、乙醇和异丙醇中的一种或多种的混合;
所述步骤(2)中无水乙醚和步骤(1)中氧化石墨烯的质量比为2.4x10-3~1.5x 10-2:1;
步骤(3)中,使用的丙三醇、醇(步骤(1)与步骤(2)的总量)和无水乙醚的体积比为0.7~1.6:1~2.5:1;
步骤(3)中搅拌的转速为500~900转/分钟;
步骤(4)中的钛源为硫酸氧钛、钛酸四丁酯或异丙醇钛,优选硫酸氧钛;
步骤(5)中的晶化温度为110~140℃,晶化时间为24~36小时;
步骤(6)中氩气和氢气的混合气氛中,氢气的体积分数为5~10%;
步骤(6)中焙烧的温度为450~550℃,焙烧时间为3~10小时。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学,未经吉林大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510239386.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多孔金属箔及其制备方法
- 下一篇:盖组件以及包括该盖组件的二次电池