[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、光学触控屏和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括形成于衬底基板上的栅极金属层、半导体层、源漏极金属层和像素电极层，所述栅极金属层包括栅线和薄膜晶体管的栅电极，所述漏极金属层包括数据线、薄膜晶体管的源电极和漏电极，所述半导体层包括薄膜晶体管的有源层；其特征在于，所述阵列基板还包括形成于所述栅极金属层且沿行方向延伸的多条第一感应线，形成于所述半导体层且彼此绝缘的多个第一感光元件和多个第二感光元件，形成于所述源漏极金属层且沿列方向延伸的多条第二感应线，以及形成于所述栅极金属层的遮挡电极，所述遮挡电极位于所述第二感光元件的下方；

位于同一行的所述第一感光元件与同一条所述第一感应线电连接，位于同一列的所述第二感光元件与同一条所述第二感应线电连接，所述第一感光元件和所述第二感光元件用于根据外部光线产生电流信号，所述第一感应线和所述第二感应线用于分别传输所述第一感光元件和所述第二感光元件产生的电流信号；

当所述第一感光元件和所述第二感光元件被手指或触笔遮挡时，所述第一感光元件和所述第二感光元件产生的电流信号发生变化，籍此可以根据与所述第一感光元件电连接的所述第一感应线和与所述第二感光元件电连接的所述第二感应线所接受的电流信号的变化判断手指或触笔遮挡的触摸点位置。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括形成于所述像素电极层的连接电极，所述第一感应线与所述第一感光元件通过所述连接电极电连接。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括形成于所述源漏极金属层的过渡电极，所述连接电极与所述第一感光元件通过所述过渡电极电连接。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一感应线与所述栅线平行，所述第二感应线与所述数据线平行。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线和所述数据线限定多个像素单元，以一个所述第一感光元件和一个所述第二感光元件为感光元件组，一个所述感光元件组对应一个所述像素单元，或者一个所述感光元件组对应多个所述像素单元。

6.如权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一感光元件和所述第二感光元件为非晶硅材料形成。

7.一种光学触控屏，其特征在于，包括权利要求1至6任一项所述的阵列基板。

8.如权利要求7所述的光学触控屏，其特征在于，所述光学触控屏还包括彩膜基板，所述彩膜基板包括黑矩阵，所述黑矩阵在所述阵列基板上的垂直投影与所述第一感光元件和所述第二感光元件在所述阵列基板上的垂直投影无交集。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7或8所述的触控屏。

10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成栅极金属薄膜，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管的栅电极、栅线、第一感应线和遮挡电极的栅极金属层；

在所述栅极金属层之上依次形成栅极绝缘层、半导体层薄膜和源漏极金属薄膜，在所述源漏极金属薄膜上涂覆光刻胶并进行半曝光处理；

通过刻蚀工艺去除半曝光处理后暴露的所述源漏极金属薄膜，形成包括数据线、薄膜晶体管的源电极和漏电极、第二感应线和过渡电极的源漏极金属层；

通过刻蚀工艺去除半曝光对应区域的半导体层薄膜，形成包括薄膜晶体管的有源层、第一感光元件和第二感光元件的半导体层，所述第二感光元件位于所述第二感应线下方并接触连接；

在所述源漏极金属层之上形成钝化层，并形成分别与所述第一感应线和所述第一感光元件位置对应的过孔；

在所述钝化层之上形成像素电极层薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极和连接电极的像素电极层。