[发明专利]等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造有效
申请号: | 201510239622.4 | 申请日: | 2015-05-12 |
公开(公告)号: | CN105097405B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 东条利洋;宇津木康史;佐佐木和男 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 应用于 排气 构造 | ||
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,
该等离子体处理装置包括:
处理室,其用于容纳基板并对基板实施等离子体处理;
载置台,其在所述处理室内并具有用于载置基板的载置面;
处理气体供给系统,其用于向所述处理室内供给处理气体;
排气系统,其用于对所述处理室内进行排气;
等离子体生成机构,其用于生成用于对载置在所述载置台上的基板进行等离子体处理的等离子体;
高频电源,其用于对所述载置台施加偏压用的高频电力;以及
多个分隔构件,其由导电性材料构成且不具有开口部,该分隔构件设于所述载置面的下方位置,用于将所述处理室分隔成用于对基板进行等离子体处理的处理区域和与所述排气系统相连的排气区域,
所述多个分隔构件与接地电位相连接,相邻的分隔构件以在彼此之间形成用于将供给到所述处理区域的处理气体导向所述排气区域的豁口的方式分开地配置,
该等离子体处理装置还在与所述分隔构件的高度位置不同的高度位置包括遮蔽构件,该遮蔽构件以在俯视时将所述豁口的至少一部分遮蔽的方式设置,该遮蔽构件由导电性材料构成且不具有开口部,并且与接地电位相连接。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述遮蔽构件设于所述分隔构件的下方位置。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述遮蔽构件以在俯视时将所述豁口的全部遮蔽的方式设置。
4.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述分隔构件设置在所述处理室的内壁与所述载置台的同该内壁相对的侧壁之间。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述处理室具有俯视形状为矩形形状的空间,所述载置台的俯视形状呈矩形形状,所述分隔构件以与所述载置台的各侧壁相对应的方式设置,所述豁口形成于所述矩形形状的空间的角部。
6.根据权利要求1至2、5中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述等离子体生成机构具有高频天线,以便在所述处理区域中生成感应耦合等离子体。
7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述高频天线隔着电介质窗设置在所述处理室的上部。
8.根据权利要求6所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述高频天线隔着金属窗设置在所述处理室的上部。
9.一种排气构造,其是用于在等离子体处理装置中将供给到处理室的处理气体导向排气系统的排气构造,该等离子体处理装置包括:所述处理室,其用于容纳基板并对基板实施等离子体处理;载置台,其在所述处理室内并具有用于载置基板的载置面;处理气体供给系统,其用于向所述处理室内供给处理气体;所述排气系统,其用于对所述处理室内进行排气;等离子体生成机构,其用于生成用于对载置在所述载置台上的基板进行等离子体处理的等离子体;以及高频电源,其用于对所述载置台施加偏压用的高频电力,其特征在于,
该排气构造具有多个分隔构件,该分隔构件由导电性材料构成且不具有开口部,该分隔构件设于所述载置面的下方位置,用于将所述处理室分隔成用于对基板进行等离子体处理的处理区域和与所述排气系统相连的排气区域,
所述多个分隔构件与接地电位相连接,相邻的分隔构件以在彼此之间形成用于将供给到所述处理区域的处理气体导向所述排气区域的豁口的方式分开地配置,
该排气构造还在与所述分隔构件的高度位置不同的高度位置包括遮蔽构件,该遮蔽构件以在俯视时将所述豁口的至少一部分遮蔽的方式设置,该遮蔽构件由导电性材料构成且不具有开口部,并且与接地电位相连接。
10.根据权利要求9所述的排气构造,其特征在于,
所述遮蔽构件设于所述分隔构件的下方位置。
11.根据权利要求9或10所述的排气构造,其特征在于,
所述遮蔽构件以在俯视时将所述豁口的全部遮蔽的方式设置。
12.根据权利要求9或10所述的排气构造,其特征在于,
所述分隔构件设置在所述处理室的内壁与所述载置台的同该内壁相对的侧壁之间。
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