[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包含：

一晶圆基板，具有一镂空区及相对的一第一表面与一第二表面，其中该镂空区贯穿该第一表面与该第二表面；

一第一绝缘层，位于该晶圆基板的该第一表面上，该第一绝缘层具有一第一开口，且该第一开口连通于该镂空区；以及

一导电垫，位于该第一绝缘层相对该晶圆基板的表面上，且该导电垫覆盖该第一开口，使得该导电垫从该镂空区裸露，其中该导电垫具有朝向该第一开口的一凹部，该第一绝缘层具有围绕该第一开口的一倾斜面，使得该凹部与该倾斜面形成剖面形状为U形的一凹槽。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该晶圆基板具有围绕该镂空区的一第三表面，该半导体结构还包含：

一第二绝缘层，位于该凹槽上及该晶圆基板的该第二表面与该第三表面上，且该第二绝缘层具有一第二开口，使得该导电垫从该第二开口裸露。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包含：

一布线层，位于该第二绝缘层上，且电性接触裸露于该第二开口的该导电垫。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该凹槽的深度大于该第一绝缘层的厚度。

5.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包含：

形成一第一绝缘层于一晶圆基板的一第一表面；

形成一导电垫于该第一绝缘层上；

形成贯穿于该晶圆基板的该第一表面与一第二表面的一镂空区，使得该第一绝缘层从该镂空区裸露；以及

激光蚀刻裸露于该镂空区的该第一绝缘层，使得该第一绝缘层形成一第一开口，该导电垫形成从该第一开口裸露的一凹部。

6.根据权利要求5所述的半导体结构制作方法，其特征在于，该晶圆基板具有围绕该镂空区的一第三表面，该第一绝缘层具有围绕该第一开口的一倾斜面，该凹部与该倾斜面形成一凹槽，该半导体结构制作方法还包含：

形成一第二绝缘层于该凹槽上及该晶圆基板的该第二表面与该第三表面上。

7.根据权利要求6所述的半导体结构制作方法，其特征在于，还包含：

图案化该第二绝缘层，使得该第二绝缘层形成裸露该导电垫的一第二开口。

8.根据权利要求7所述的半导体结构制作方法，其特征在于，图案化该第二绝缘层包含：

形成图案化的一光阻层于该第二绝缘层上；

蚀刻未被该光阻层覆盖的部分该第二绝缘层，使得该第二绝缘层形成裸露该导电垫的该第二开口；以及

去除该光阻层。

9.根据权利要求7所述的半导体结构制作方法，其特征在于，还包含：

形成一布线层于该第二绝缘层上与裸露于该第二开口的该导电垫上。

10.根据权利要求5所述的半导体结构制作方法，其特征在于，激光蚀刻该第一绝缘层包含：

提供具有一穿孔的一遮罩；以及

发射一激光通过该遮罩的该穿孔至该第一绝缘层。

11.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包含：

形成一第一绝缘层于一晶圆基板的一第一表面；

形成一导电垫于该第一绝缘层上；

形成贯穿于该晶圆基板的该第一表面与一第二表面的一镂空区，使得该第一绝缘层从该镂空区裸露，且该晶圆基板形成围绕该镂空区的一第三表面；

形成一第二绝缘层于该晶圆基板的该第二表面与该第三表面上及裸露于该镂空区的该第一绝缘层上；以及

激光蚀刻该镂空区中的该第一绝缘层与该第二绝缘层，使得该第一绝缘层形成一第一开口，该第二绝缘层形成一第二开口，该导电垫形成从该第一开口与该第二开口裸露的一凹部。

12.根据权利要求11所述的半导体结构制作方法，其特征在于，还包含：

形成一布线层于该第二绝缘层上及裸露于该第一开口与该第二开口的该导电垫上。

13.根据权利要求11所述的半导体结构制作方法，其特征在于，激光蚀刻该第一绝缘层与该第二绝缘层包含：

提供具有一穿孔的一遮罩；以及

发射一激光通过该遮罩的该穿孔至该第一绝缘层。