[发明专利]用于倒装LED芯片的衬底、外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201510240667.3 | 申请日： | 2015-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN104835890B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张昊翔;丁海生;李东昇;赵进超;黄捷;陈善麟;江忠永 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 余毅勤 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 倒装 led 芯片 衬底 外延 及其 制作方法 | ||
1.一种用于倒装LED芯片的衬底制作方法，其特征在于，包括：
提供一蓝宝石衬底；
在蓝宝石衬底上形成晶格匹配层；
在所述晶格匹配层上形成具有图形化结构的介质层，所述具有图形化结构的介质层暴露出部分所述晶格匹配层；
在所述晶格匹配层和具有图形化结构的介质层上生长氮化镓衬底材料，直至所述氮化镓衬底材料的应力使所述晶格匹配层和蓝宝石衬底完全脱离时停止；
去除部分或全部晶格匹配层。
2.如权利要求1所述的用于倒装LED芯片的衬底制作方法，其特征在于，所述图形化结构是间隔排布的柱状结构。
3.如权利要求2所述的用于倒装LED芯片的衬底制作方法，其特征在于，所述具有图形化结构的介质层为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅薄膜。
4.如权利要求2所述的用于倒装LED芯片的衬底制作方法，其特征在于，所述柱状结构是柱状空洞，所述氮化镓衬底材料填满所述柱状空洞。
5.如权利要求4所述的用于倒装LED芯片的衬底制作方法，其特征在于，所述柱状结构为圆柱形空洞、椭圆柱形空洞或多棱柱状空洞。
6.如权利要求2所述的用于倒装LED芯片的衬底制作方法，其特征在于，所述柱状结构是柱状凸起，所述氮化镓衬底材料填满所述柱状凸起之间的空隙。
7.如权利要求6所述的用于倒装LED芯片的衬底制作方法，其特征在于，所述柱状结构为圆柱形凸起、椭圆柱形凸起或多棱柱状凸起。
8.如权利要求1所述的用于倒装LED芯片的衬底制作方法，其特征在于，所述晶格匹配层为氮化镓或者氮化铝。
9.如权利要求1所述的用于倒装LED芯片的衬底制作方法，其特征在于，通过氢化物气相外延技术在所述晶格匹配层和具有图形化结构的介质层上生长氮化镓衬底材料。
10.如权利要求9所述的用于倒装LED芯片的衬底制作方法，其特征在于，所述氮化镓衬底材料的厚度为100μm～2000μm，所述生长时间为1小时～10小时。
11.一种用于倒装LED芯片的外延片的制作方法，其特征在于，包括：
采用如权利要求1至10中任意一项所述的方法制作衬底；以及
在所述衬底上形成氮化镓外延层。
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