[发明专利]单粒子效应检测方法和系统

权利要求书

1.一种单粒子效应检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

读取第一粒子束流辐照下的待测器件的各地址的存储信息，生成第一读信息，并对所述第一读信息和第一预设数据进行比较，生成第一比信息，所述待测器件已上电和写入所述第一预设数据；

若根据所述第一比信息判定所述待测器件内存在单粒子翻转或单粒子硬错误，则读取第二粒子束流辐照后的所述待测器件的各地址的存储信息，生成第二读信息，并对所述第二读信息和第二预设数据进行比较，生成第二比信息，所述待测器件被第二粒子束流辐照前已断电、上电和写入所述第二预设数据；

若根据所述第二比信息判断出所述待测器件内存在单粒子翻转或单粒子硬错误，则判定所述待测器件内的单粒子翻转或单粒子硬错误不是外围电路瞬态脉冲引起的单粒子翻转或单粒子硬错误；

其中，若地址能够进行写入修正，则所述待测器件内存在单粒子翻转，若不能进行写入修正，则所述待测器件内存在单粒子硬错误。

2.根据权利要求1所述的单粒子效应检测方法，其特征在于，判定所述待测器件内的单粒子翻转或单粒子硬错误不是由外围电路瞬态脉冲引起的步骤之后，还包括以下步骤：

读取已依次进行第三粒子束流辐照、断电和上电后的所述待测器件的各地址的存储信息，生成第三读信息，并对所述第三读信息和第三预设数据进行比较，生成第三比信息，所述待测器件被第三粒子束流辐照前已断电、上电和写入所述第三预设数据；

若根据所述第三比信息判断出所述待测器件内存在单粒子翻转或单粒子硬错误，则判定所述待测器件内的单粒子翻转或单粒子硬错误不是外围电路固定效应引起的单粒子翻转或单粒子硬错误。

3.根据权利要求2所述的单粒子效应检测方法，其特征在于，判定所述待测器件内的单粒子翻转或单粒子硬错误不是外围电路固定效应引起的单粒子翻转或单粒子硬错误的步骤之后，还包括以下步骤：

读取已依次进行第四粒子束流辐照、上电后的所述待测器件的各地址的存储信息，生成第四读信息，并对所述第四读信息和第四预设数据进行比较，生成第四比信息，所述待测器件被第四粒子束流辐照前已断电、上电、写入所述第四预设数据和断电；

若根据所述第四比信息判断出所述待测器件内存在单粒子翻转或单粒子硬错误，则判定所述待测器件内的单粒子翻转或单粒子硬错误是存储区内的单粒子翻转或单粒子硬错误。

4.根据权利要求1所述的单粒子效应检测方法，其特征在于：

若根据所述第一比信息判定所述待测器件中存在单粒子翻转或单粒子硬错误，则读取再次断电和上电后的所述待测器件的各地址的存储信息，生成第五读信息，并比较所述第五读信息和所述第一预设数据，生成第五比信息；

若根据所述第五比信息判断出所述待测器件内存在单粒子翻转或单粒子硬错误，则判定所述待测器件内的单粒子翻转或单粒子硬错误不是外围电路固定效应引起的单粒子翻转或单粒子硬错误。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的单粒子效应检测方法，其特征在于，读取第二粒子束流辐照后的所述待测器件的各地址的存储信息，生成第二读信息的步骤之前，还包括以下步骤：

通过第一比信息判断所述待测器件的任一地址的信息是否发生翻转；

若发生翻转，则判断所述存储信息翻转是否为写入操作能修正的翻转，若是，则所述待测器件内存在单粒子翻转，若否，则所述测器件内存在单粒子硬错误。

6.根据权利要求1所述的单粒子效应检测方法，其特征在于，读取第二粒子束流辐照后的所述待测器件的各地址的存储信息，生成第二读信息的步骤之前，还包括以下步骤：

对所述待测器件进行电流检测，生成所述待测器件的工作电流；

根据单粒子效应判断规则，通过所述工作电流、所述第一读信息和所述第一比信息判断所述待测器件中是否存在单粒子效应。