[发明专利]功率半导体装置

权利要求书

1.一种功率半导体装置，所述功率半导体装置带有基底(20)和布置在所述基底(20)上的且与所述基底(20)连接的功率半导体元件(23)，其中，所述功率半导体装置(1)具有壳体部件(2)，所述壳体部件具有带有凹部(40)的壳体壁(10)，其中，为了所述功率半导体装置(1)的电接触，所述功率半导体装置(1)具有沿垂直于凹部(40)布置的X方向穿过所述壳体壁(10)的凹部(40)延伸的一体地构造的导电的第一负载连接元件(3)，所述第一负载连接元件具有布置在所述壳体部件(2)外部的第一外部连接区段(3a)和布置在所述壳体部件内部的第一内部连接区段(3b)，其中，在所述壳体壁(10)中以防旋转且能沿X方向运动的方式布置有配设有内螺纹的沿X方向延伸的第一衬套(6)，其中，所述第一外部连接区段(3a)与所述第一衬套(6)对齐地具有凹部(11)，其中，所述第一负载连接元件(3)具有布置在所述壳体壁(10)的凹部(40)的区域中的第一保持元件(8)，所述第一保持元件嵌接到所述壳体壁(10)的垂直于X方向延伸的第一槽(9)中。

2.按权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，在所述壳体壁(10)中以防旋转且不能沿X方向运动的方式布置有配设有内螺纹的沿X方向延伸的第二衬套(7)，其中，在所述壳体部件(2)外部，没有所述功率半导体装置(1)的负载连接元件的外部连接区段布置在所述第二衬套(7)之前，并且所述第二衬套(7)与功率半导体构件(23)电绝缘地布置。

3.按权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，为了所述功率半导体装置(1)的电接触，所述功率半导体装置(1)具有沿X方向穿过所述壳体壁(10)的凹部(40)延伸的且与所述第一负载连接元件(3)电绝缘地布置的一体式构造的导电的第二负载连接元件(4)，所述第二负载连接元件具有布置在所述壳体部件(2)外部的第二外部连接区段(4a)和布置在所述壳体部件(2)内部的第二内部连接区段(4b)，其中，在所述壳体壁(10)中以防旋转且不能沿X方向运动的方式布置有配设有内螺纹的沿X方向延伸的第二衬套(7)，其中，所述第二外部连接区段(4a)与所述第二衬套(7)对齐地具有凹部(15)。

4.按权利要求3所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一负载连接元件(3)具有第三保持元件(19)，所述第三保持元件构造为所述第一负载连接元件(3)的布置在所述第一负载连接元件(3)的端部上的区段，其中，所述第三保持元件(19)布置在所述壳体壁(10)的垂直于X方向延伸的第三槽(53)中并且沿X方向在两侧具有与所述壳体壁(10)的限定第三槽的边界的壁(51、52)的间距。

5.按权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，为了所述功率半导体装置(1)的电接触，所述功率半导体装置(1)具有沿X方向穿过所述壳体壁(10)的凹部(40)延伸的且与所述第一负载连接元件(3)电绝缘地布置的一体式构造的导电的第二负载连接元件(4)，所述第二负载连接元件具有布置在所述壳体部件(2)外部的第二外部连接区段(4a)和布置在所述壳体部件(2)内部的第二内部连接区段(4b)，其中，在所述壳体壁(10)中以防旋转且能沿X方向运动的方式布置有配设有内螺纹的沿X方向延伸的第二衬套(7)，其中，所述第二外部连接区段(4a)与所述第二衬套(7)对齐地具有凹部(15)，其中，所述第二负载连接元件(4)具有布置在所述壳体壁(10)的凹部(40)的区域中的第二保持元件(61)，所述第二保持元件嵌接到所述壳体壁(10)的垂直于X方向延伸的第二槽(62)中。