[发明专利]半导体器件中的机械应力去耦合

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在半完成的半导体器件中并行地刻蚀第一沟槽和第二沟槽，其中所述第一沟槽为最终半导体器件的第一区域和其第二区域之间的机械去耦合沟槽；以及

并行地钝化所述第一沟槽的侧壁和所述第二沟槽的侧壁，

其中并行地刻蚀和并行地钝化的动作在前端工艺线工艺或后端工艺线工艺期间执行，其中在所述前端工艺线工艺的情况下，在所述半完成的半导体器件的前端工艺线部分中形成所述第一沟槽和所述第二沟槽，并且在所述后端工艺线工艺的情况下，在所述半完成的半导体器件的后端工艺线部分中形成所述第一沟槽和所述第二沟槽，

其中所述方法进一步包括：在所述半完成的半导体器件中刻蚀第三沟槽，其中所述第三沟槽为在所述后端工艺线部分中的所述半完成的半导体器件的所述第一区域和所述第二区域之间的另一机械去耦合沟槽，并且其中所述第一沟槽和所述第二沟槽形成在所述前端工艺线部分中，

其中所述第一沟槽和所述第三沟槽在与所述半完成的半导体器件的主表面垂直的方向上彼此对准，以及

其中刻蚀所述第三沟槽包括重新打开所述第一沟槽，并且其中所述方法进一步包括：并行地钝化所述第一沟槽的侧壁和所述第三沟槽的侧壁。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二沟槽比所述第一沟槽更宽。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述半完成的半导体器件的前端工艺线部分中形成所述第一沟槽和所述第二沟槽，并且所述方法进一步包括：

在使所述第一沟槽的侧壁钝化或绝缘之后，利用填充材料填充至少所述第一沟槽；以及

通过刻蚀所述填充材料、所述第一沟槽的侧壁的钝化材料以及所述第一沟槽的侧壁的绝缘材料中的至少一个，来至少部分地清除所述第一沟槽。

4.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在半完成的半导体器件中并行地刻蚀第一沟槽和第二沟槽，其中所述第一沟槽为最终半导体器件的第一区域和其第二区域之间的机械去耦合沟槽；以及

并行地钝化所述第一沟槽的侧壁和所述第二沟槽的侧壁，

其中使所述第一沟槽的侧壁钝化或绝缘引起所述第一沟槽在所述第一沟槽的表面近端处被闭合，并且因而引起在所述第一沟槽内形成空隙或空条，而当使所述侧壁钝化或绝缘时所述第二沟槽未被闭合，以及

其中所述方法进一步包括：

在后端工艺线工艺期间，执行所述半完成的半导体器件的结构的释放刻蚀；以及

在所述释放刻蚀期间重新打开所述第一沟槽。

5.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在半完成的半导体器件中并行地刻蚀第一沟槽和第二沟槽，其中所述第一沟槽为最终半导体器件的第一区域和其第二区域之间的机械去耦合沟槽；

并行地钝化所述第一沟槽的侧壁和所述第二沟槽的侧壁；以及

执行威尼斯工艺，以在所述第一区域下方形成空腔，从而在与所述半完成的半导体器件的主表面垂直的方向上提供所述第一区域的机械去耦合，所述空腔在所述半完成的半导体器件内的一定深度处与所述主表面基本平行地延伸。

6.一种半导体器件，包括：

第一沟槽，被配置用于提供在所述半导体器件的第一区域和第二区域之间的机械去耦合；

第二沟槽；

侧壁涂层，在所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁处，其中在所述第一沟槽的侧壁处和在所述第二沟槽的侧壁处的所述侧壁涂层具有相同材料；以及

在所述半导体器件中的第三沟槽，

其中所述第一沟槽和所述第二沟槽都形成在所述半导体器件的前端工艺线部分中或都形成在所述半导体器件的后端工艺线部分中，

其中所述第三沟槽是在所述后端工艺线部分中的所述半导体器件的所述第一区域和所述第二区域之间的另一机械去耦合沟槽，并且其中所述第一沟槽和所述第二沟槽形成在所述前端工艺线部分中，

其中所述第一沟槽和所述第二沟槽在与所述半导体器件的主表面垂直的方向上彼此对准，以及

其中所述第一沟槽和所述第三沟槽彼此连接，并且其中所述第一沟槽的侧壁涂层与所述第三沟槽的侧壁涂层邻接。