[发明专利]一种宽调谐范围环形压控振荡器在审
申请号: | 201510244290.9 | 申请日: | 2015-05-14 |
公开(公告)号: | CN104821825A | 公开(公告)日: | 2015-08-05 |
发明(设计)人: | 谷银川;黄鲁 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学先进技术研究院 |
主分类号: | H03L7/099 | 分类号: | H03L7/099 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 何梅生 |
地址: | 230088 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调谐 范围 环形 压控振荡器 | ||
1.一种宽调谐范围环形压控振荡器,其特征是:所述环形压控振荡器由串联的三级延迟单元组成,其中第一级延迟单元的输出接第二级延迟单元的主输入端同时交叉接第三级的次输入端,第二级延迟单元的输出接第三级延迟单元的主输入端同时接第一级延迟单元的次输入端,第三级的输出接第一级的主输入端同时接第二级的次输入端。
2.根据权利要求1所述的宽调谐范围环形压控振荡器,其特征是:所述三级延迟单元包括第一对NMOS管、第二对NMS管、第三对NMOS管、第一对PMOS管、第二对PMOS管以及第三对PMOS管;所述第一对NMOS管为主输入差分对管,其栅极分别接差分输入信号,漏极分别接差分输出节点,源极共同接地;第二对NMOS管为负载管,其栅极共同接控制电压Vtune,漏极分别接差分输出节点,源级分别接第三对NMOS管的漏极;第三对NMOS管为交叉耦合管,栅极分别接差分输出节点,漏极分别接第二对NMOS管的源极,源极共同接地;第一对PMOS管为次输入差分对管,其栅极分别接环路前两级提供的前馈差分信号,漏极接差分输出节点,源极共同接电源VDD;第二对PMOS管为电压粗调模式控制管,其栅极接粗调模式控制电压Vcoarse,漏极接差分输出节点,源极共同接电源VDD;第三对PMOS管为负载管,其栅极共同接控制电压Vtune,漏极接差分输出节点,源极共同接电源VDD。
3.根据权利要求1所述的宽调谐范围环形压控振荡器,其特征是:
由NMOS管MN1和NMOS管MN2构成第一对NMOS管,所述NMOS管MN1和NMOS管MN2的源极共同接地,NMOS管MN1的漏极接输出节点Vout-,NMOS管MN2的漏极接输出节点Vout+,NMOS管MN1的栅极接输入信号P+,NMOS管MN2的栅极接输入信号P-;
由NMOS管MN3和NMOS管MN4构成的第二对NMOS管为NMOS负载管,所述NMOS管MN3和NMOS管MN4的栅极共同连接控制电压Vtune,NMOS管MN3的漏极接差分输出节点Vout-,NMOS管MN4的漏极接差分输出节点Vout+,NMOS管MN3的源级接NMOS管MN5的漏极,NMOS管MN4的源极接NMOS管MN6的漏极;
由所述NMOS管MN5和NMOS管MN6构成的第三对NMOS管为交叉耦合管,所述NMOS管MN5的栅极接差分输出节点Vout+,NMOS管MN6的栅极接差分输出节点Vout-,NMOS管MN5和NMOS管MN6的源极共同接地;
由PMOS管MP1和PMOS管MP2构成第一对PMOS管,所述PMOS管MP1和PMOS管MP2的源极共同接电源VDD,PMOS管MP1的漏极接输出节点Vout-,PMOS管MP2的漏极接输出节点Vout+,PMOS管MP1的栅极接输入信号S+,PMOS管MP2的栅极接输入信号S-;
由PMOS管MP3和PMOS管MP4构成的第二对PMOS管为电压粗调模式控制管,所述PMOS管MP3和PMOS管MP4的栅极共同连接粗调模式控制电压Vcoarse,PMOS管MP3的漏极接输出节点Vout-,PMOS管MP4的漏极接输出节点Vout+,PMOS管MP3的源极共同连接电源VDD;
由PMOS管MP5和PMOS管MP6构成的第三对PMOS管为PMOS负载管,PMOS管MP5和PMOS管MP6的栅极共同连接控制电压Vtune,PMOS管MP5的漏极接输出节点Vout-,PMOS管MP6的漏极接输出节点Vout+,PMOS管MP5和PMOS管MP6的源极共同连接电源VDD。
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