[发明专利]一种S波段SIW双环铁氧体移相器及其设计方法在审
申请号: | 201510244558.9 | 申请日: | 2015-05-14 |
公开(公告)号: | CN104868206A | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | 邓龙江;黄崇维;孙逊;汪晓光;陈良;高天乐 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01P1/195 | 分类号: | H01P1/195;H01P11/00 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 张杨 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 波段 siw 铁氧体 移相器 及其 设计 方法 | ||
技术领域
本发明涉及微波技术、无源器件以及铁氧体器件领域。特别涉及一种铁氧体移相器。
背景技术
在过去的几十年,微波技术及铁氧体器件技术有了很大进展。其中一种非常重要的微波铁氧体器件——移相器,一种调节电磁波相位的器件,在微波、射频、雷达领域的应用越来越广泛。在微波、毫米波段,常见的铁氧体移相器是波导铁氧体移相器,由矩形波导及一个或两个铁氧体环以及一段高介电常数介质片构成。通过调节铁氧体环的位置、大小,可使入射波在铁氧体内部的磁场成为一个左旋极化波,从而使入射波的相移大于反射波的相移,达到移向目的。同时,可以通过改变外加磁场的大小,在相当大的范围内,改变铁氧体材料的张量磁导率,从而实现不同的相移。
但是,传统波导铁氧体移相器仍有诸多问题。首先是受标准波导口径限制,导致体积过大。第二,由于高介电常数的介质片的引入,导致了高次模的截止频率提前,影响器件工作带宽。
发明内容
针对上述存在问题或不足,本发明提供了一种S波段SIW双环铁氧体移相器,包括一段SIW传输线和对称设置于SIW传输线内的两个相同的铁氧体方环,还包括一个设于两个铁氧体方环中间的介质片,两个铁氧体方环与介质片紧贴;铁氧体方环高度与SIW和介质片等高,壁厚1mm-2mm,宽度小于SIW宽度的一半,长度等于SIW长度,介质片厚度小于2mm,长度等于SIW长度。
其设计方法如下:
1,根据工作的频段,设计基片集成波导传输线。
2,在基片集成波导传输线中加上对称的两个铁氧体环和介质片;介质片夹在两个铁氧体环的中间与其紧贴,使得两个铁氧体环关于介质片对称。
3,根据所需的相移量、工作频率,调整铁氧体环的大小、壁厚以及介质片的厚度得到移相器最终各个参数尺寸。
上述技术方案具有如下优点:抑制了TM模的出现,推迟了高次模式的截止频率;较传统波导移相器体积更小;介质填充的SIW具有比波导更大的击穿电压。
附图说明
图1是S波段波导双环移相器截面图
图2是S波段SIW双环铁氧体移相器截面图
图3是S波段波导双环移相器相移量随长度的变化
图4是S波段SIW双环铁氧体移相器相移量随长度的变化
图5是S波段波导双环移相器的插入损耗
图6是S波段SIW双环铁氧体移相器的插入损耗
图7是S波段波导双环移相器驻波比
图8是S波段SIW双环铁氧体移相器驻波比
图9是S波段波导双环移相器的基模和高次模传播常数
图10是S波段SIW双环铁氧体移相器的基模和高次模传播常数
具体实施方式
现用一个500°相移、S波段、工作频率在2.7~3.1GHz的SIW双环铁氧体移相器为例,并与一个同样500°相移相同工作频率的S波段波导移相器对比,说明本发明的设计方法及优点。需要说明的是,两个移相器采用了相同的铁氧体材料,饱和磁化强度为600高斯。而介质片的介电常数,波导移相器是60,SIW双环铁氧体移相器是80。
步骤一,设计SIW传输线,选择宽度20mm,通孔直径0.8mm,孔间距2mm。SIW的高度选择6mm。基板介电常数10.2,损耗角0.0035。在3GHz处,纵向长度为一个波导波长时,驻波小于1.04,插入损耗0.12db,回波损耗小于35db。
步骤二,在SIW中间加入一段介电常数为80的介质片,介质片宽1.5mm,高度6mm。
步骤三,紧靠介质片,加入两个对称的铁氧体环。铁氧体环壁厚1mm,内径6mm*4mm,外径8mm*6mm。移相器模型如图2所示。
SIW双环铁氧体移相器每毫米相移15.3°,整体尺寸25mm*6mm*32.66mm,矩形波导移相器每毫米相移16°,整体尺寸30mm*18mm*31.25mm。SIW双环铁氧体移相器插损小于0.024db,波导移相器插损小于0.08db。端口的驻波比,SIW移相器小于1.04,波导移相器小于1.31。可以看到,SIW双环铁氧体移相器约40%的体积实现了接近波导移相器的性能。同时需要说明的是,波导移相器因为介质层的引入出现了高次模,因而实际器件性能会低于理论值,而SIW移相器直到4.5GHz处才会出现高次模。
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