[发明专利]Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3高储能密度陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510244734.9 申请日: 2015-05-14
公开(公告)号: CN104891989B 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 袁昌来;周星星;冯琴;刘笑;周昌荣;杨涛;许积文;黎清宁;陈国华 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: C04B35/475 分类号: C04B35/475;C04B35/622
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司45112 代理人: 罗玉荣
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: sr sub bi 0.47 na ba 0.06 ti 高储能 密度 陶瓷 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于储能陶瓷电容器制造领域,具体涉及到一种Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1-xMxTi1-xO3高储能密度陶瓷及其制备方法。

背景技术

高储能密度陶瓷电容器是一种新型的高密度储能方式,其具有储能密度高、充放电速度快、抗循环老化、适用于高温高压等极端环境和性能稳定的优点,特别适合军用激光驱动电源和定向能武器领域,是新一代定向能武器的强有力驱动器。然而,当前高密度储能陶瓷的储能密度相对较低,制备成薄膜可获得较高的储能密度值,然而,薄膜的不稳定特征和低功率特点,大大限制了其在军用领域的应用。因而,提高陶瓷材料的储能密度,已成当前的一个重要研究热点。当前,储能陶瓷材料主要集中于铅基材料,然而,铅的高毒性也意味着其应用受到限制。因而需要寻找新储能陶瓷体系。经过前期研究发现,Bi0.5Na0.5TiO3体系能够固溶一些弱铁电性的材料形成反铁电体,因而有了如下发明内容。

发明内容

本发明的目的在于提供一种Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1-xMxTi1-xO3高储能密度陶瓷,式中,0.05≤x≤0.3,M为Sn、Zr、(Mg1/3Nb2/3)、(Mg1/3Ta2/3)、(Zn1/3Nb2/3)、(Zn1/3Ta2/3)、(Ni1/3Nb2/3)、(Ni1/3Ta2/3)、(Al1/2Nb1/2)、(Al1/2Ta1/2)、(Co1/2Nb1/2)、(Co1/2Ta1/2)、(Cr1/2Nb1/2)、(Cr1/2Ta1/2)中的一种。

一种Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1-xMxTi1-xO3高储能密度陶瓷的制备方法,包括如下步骤:

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