[发明专利]离子注入装置

权利要求书

1.一种离子注入装置，其具备：

扫描单元，该扫描单元包括：扫描电极装置，向沿着基准轨道射入的离子束施加偏转电场，以向与所述基准轨道正交的横向扫描离子束；及下游电极装置，配置于所述扫描电极装置的下游，且设有供所述横向扫描的离子束通过的开口部；以及

射束平行化装置，被配置在所述扫描单元的下游，将通过所述扫描单元向所述横向扫描的离子束平行化，

该离子注入装置的特征在于，

所述扫描电极装置具有隔着所述基准轨道在所述横向对置而设的一对扫描电极，

所述下游电极装置具有电极体，该电极体构成为，与所述基准轨道及所述横向双向正交的纵向开口宽度和/或沿着所述基准轨道的方向的开口部的厚度，在所述基准轨道所处的中央部和与所述扫描电极的下游端部对置的位置附近不同，所述下游电极装置构成为，通过所述扫描电极装置扫描偏转之后，对从所述扫描电极装置射出的离子束中在通过扫描两端部附近的离子束产生的偏转像差进行补正的电极透镜。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述下游电极装置构成为，通过所述扫描电极装置扫描偏转之后，对从所述扫描电极装置射出的离子束中在通过扫描两端部附近的离子束产生的偏转像差进行补正的电极透镜。

3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述下游电极装置具备配置于所述扫描电极装置的立刻下游的下游第1基准电压电极，

相比所述基准轨道所处的中央部，在与所述扫描电极的下游端部对置的位置附近，所述下游第1基准电压电极的开口部的所述纵向开口宽度更大。

4.根据权利要求3所述的离子注入装置，其特征在于，

所述下游第1基准电压电极的开口部的所述中央部附近的所述纵向开口宽度恒定，与所述扫描电极的下游端部对置的位置附近的所述纵向开口宽度，随着朝向开口部的左右两端逐渐变宽。

5.根据权利要求3所述的离子注入装置，其特征在于，

所述下游电极装置还具备：配置于所述下游第1基准电压电极的下游的下游第2基准电压电极；及配置于所述下游第1基准电压电极与所述下游第2基准电压电极之间的下游第1中间电极，

所述下游第1中间电极及所述下游第2基准电压电极在与所述下游第1基准电压电极的开口部连通的位置分别具有离子束通过用开口部，

所述下游第1中间电极上施加有不同于所述下游第1基准电压电极和所述下游第2基准电压电极的电位的高电压，

所述下游第1基准电压电极具有与所述下游第1中间电极对置且与所述基准轨道正交的下游面，

所述下游第1中间电极具有与所述下游第1基准电压电极对置且与所述基准轨道正交的上游面，

所述下游第1基准电压电极和所述下游第1中间电极具有如下形状，即相比所述基准轨道所处的中央部，在与所述扫描电极的下游端部对置的位置附近，所述下游第1基准电压电极的所述下游面与所述下游第1中间电极的所述上游面之间的距离更大。

6.根据权利要求5所述的离子注入装置，其特征在于，

所述下游第1基准电压电极和所述下游第1中间电极，在与所述扫描电极的下游端部对置的位置附近，所述下游第1基准电压电极的所述下游面与所述下游第1中间电极的所述上游面之间的距离随着朝向开口部的左右两端而逐渐变大。

7.根据权利要求5或6所述的离子注入装置，其特征在于，

所述下游第1中间电极的所述上游面在所述基准轨道所处的中央部附近具有向所述下游第1基准电压电极凸出的形状。

8.根据权利要求5或6所述的离子注入装置，其特征在于，

所述下游第1基准电压电极的所述下游面具有在所述基准轨道所处的中央部附近向所述下游第1中间电极凸出的形状。

9.根据权利要求5或6所述的离子注入装置，其特征在于，

相比所述下游第1基准电压电极，所述下游第1中间电极的开口部的所述横向开口宽度大，

相比所述下游第1中间电极，所述下游第2基准电压电极的开口部的所述横向开口宽度大。