[发明专利]用于制作液晶显示面板的方法及液晶显示面板有效

专利信息
申请号: 201510245675.7 申请日: 2015-05-14
公开(公告)号: CN104808378B 公开(公告)日: 2017-12-29
发明(设计)人: 付延峰 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 代理人: 朱绘,张文娟
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 制作 液晶显示 面板 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示技术领域,具体地说,涉及一种用于制作液晶显示面板的方法及液晶显示面板。

背景技术

目前,为增加TFT-LCD(即液晶显示面板)的视角,大尺寸液晶显示装置基本都会采用低色偏设计,其中,将一个子像素分割为一个主像素和一个辅像素是经常采用的低色偏技术。在采用以上方法设计栅金属层时,为保证较高的开口率,主像素栅极与主像素公共电极、辅像素栅极与辅像素公共电极以及主像素栅极与辅像素栅极之间的距离设计的尽量小,一般可达到5-7um。

由于主像素栅极、辅像素栅极和公共电极线之间的距离太小,在栅金属层曝光时容易发生栅极与公共电极之间、栅极之间的短路,造成模组水平渐变线飘高,影响产品良率。

发明内容

为解决以上问题,本发明提供了一种用于制作液晶显示面板的方法及液晶显示面板。

根据本发明的一个方面,提供了一种用于制作液晶显示面板的方法,包括:

在基底上涂敷一层金属材料形成金属材料层;

在所述金属材料层上涂敷一层光阻材料;

采用第一掩膜板对所述光阻材料进行第一次曝光处理;

采用第二掩膜板对所述光阻材料进行第二次曝光处理;

对经过两次曝光处理后的光阻材料进行显影处理以裸露出部分金属材料;

对裸露的金属材料进行蚀刻处理以形成栅金属层。

根据本发明的一个实施例,所述光阻材料为负性光阻材料。

根据本发明的一个实施例,所述栅金属层包括主像素栅极、主像素公共电极、辅像素栅极和辅像素公共电极。

根据本发明的一个实施例,通过所述第一掩膜板和所述第二掩膜板的透光区域形成主像素栅极图案、主像素公共电极图案、辅像素栅极图案和辅像素公共电极图案。

根据本发明的一个实施例,所述主像素栅极位于所述辅像素栅极和所述主像素公共电极之间,所述辅像素栅极位于所述主像素栅极和所述辅像素公共电极之间。

根据本发明的一个实施例,通过所述第一掩膜板产生的曝光图案包括所述主像素栅极图案和所述辅像素公共电极图案;

通过所述第二掩膜板产生的曝光图案包括所述辅像素栅极图案和所述主像素公共电极图案。

根据本发明的一个实施例,通过所述第一掩膜板产生的曝光图案包括所述辅像素栅极图案和所述主像素公共电极图案;

通过所述第二掩膜板产生的曝光图案包括所述主像素栅极图案和所述辅像素公共电极图案。

根据本发明的一个实施例,所述基底包括基板,并在所述基板上形成所述栅金属层。

根据本发明的一个实施例,所述基底包括基板、薄膜晶体管、数据线和栅绝缘层,并在所述栅绝缘层上形成所述栅金属层。

根据本发明的另一个方面,还提供了采用以上方法制作的液晶显示面板。

本发明的有益效果:

本发明通过采用两个掩膜板来形成栅金属层,避免了主像素栅极和辅像素栅极、辅像素公共电极和辅像素栅极、主像素栅极和主像素公共电极之间的短路,从而使得主辅像素均能正常显示,避免液晶显示面板出现水平渐变线,改善液晶显示面板的显示效果。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图做简单的介绍:

图1是现有技术中用于形成液晶显示面板中栅金属层的掩膜板结构示意图;

图2是根据本发明的一个实施例的方法流程图;

图3是根据本发明的一个实施例的第一掩膜板结构示意图;

图4是根据本发明的一个实施例的第二掩膜板结构示意图;以及

图5是根据本发明的一个实施例的液晶显示面板中一个像素单元的俯视结构示意图。

具体实施方式

以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式,借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题,并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是,只要不构成冲突,本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合,所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510245675.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top