[发明专利]MOS开关电容电路的芯片集成结构有效
| 申请号： | 201510246279.6 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104882443B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 王建全;彭彪;张干;王作义;崔永明 | 申请（专利权）人： | 四川广义微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 | 代理人： | 罗言刚 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术开发区内（*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 开关 电容 电路 芯片 集成 结构 | ||
1.MOS开关电容电路的芯片集成结构，包括A型外延层，其特征在于，还包括位于A型外延层上的第一B型器件和第二B型器件，所述第一B型器件和第二B型器件之间为A型重掺杂区，所述A型重掺杂区的掺杂浓度大于A型外延层的掺杂浓度，所述A型重掺杂区紧邻第一B型器件内侧有源区，所述A型重掺杂区的底部具有向第一B型器件的内侧有源区底部延伸的延伸部；所述第一B型器件的内侧有源区与第二B型器件栅极电连接；
所述A型、B型为载流子是空穴或电子的导电类型，B型器件为MOS器件。
2.如权利要求1所述的MOS开关电容电路的芯片集成结构，其特征在于，所述A型重掺杂区的电位与第一B型器件和/或第二B型器件衬底电位相同。
3.如权利要求1所述的MOS开关电容电路的芯片集成结构，其特征在于，所述A型重掺杂区包围第一B型器件内侧有源区底面和各个侧面，但不包括内侧有源区面向第一B型器件沟道方向的侧面。
4.如权利要求1所述的MOS开关电容电路的芯片集成结构，其特征在于，所述A型为P型，B型为N型。
5.如权利要求1所述的MOS开关电容电路的芯片集成结构，其特征在于，所述第一B型器件靠近内侧有源区的沟道边缘具有第一A型浅掺杂区，所述第一A型浅掺杂区的的掺杂浓度小于第一B型器件沟道的掺杂浓度。
6.如权利要求5所述的MOS开关电容电路的芯片集成结构，其特征在于，所述第一B型器件的栅极未覆盖所述A型浅掺杂区。
7.如权利要求1所述的MOS开关电容电路的芯片集成结构，其特征在于，所述A型重掺杂区与第二B型器件的内侧有源区之间具有第二A型浅掺杂区，所述第二A型浅掺杂区的掺杂浓度小于第二B型器件沟道的掺杂浓度。
8.如权利要求1所述的MOS开关电容电路的芯片集成结构，其特征在于，所述第一B型器件的内侧有源区与第二B型器件栅极通过底层金属导线电连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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