[发明专利]一种耐镉青霉菌及其分离方法

权利要求书

1.一种耐镉青霉菌的分离方法，其特征在于，所述耐镉青霉菌的分离方法包括以下步骤：

步骤一，土样采集、土样重金属含量和pH测定，土壤样品采自湖南省常宁市松柏镇新同村湘江流域稻田，采集一季晚稻田5-20cm土壤2kg，混匀后分装于两个无菌密封袋，一袋置于冰盒中带回实验室4℃保存，用于耐镉真菌筛选；一袋风干测定土壤样品全量Cd、Cu、Pb、Zn含量及pH；

步骤二，水稻田采集的镉污染土壤10mg溶于90mL无菌去离子水中，磁力搅拌30min制备土壤悬浮液，静置10min；取上清液1mL接种于含Cd(NO₃)₂2mM的PDA液体培养基中，28℃振荡培养箱中150rpm条件下耐镉真菌富集培养7d；

步骤三，取耐镉真菌富集培养10倍系列稀释液100μL涂布于2mM Cd²⁺PDA平板上，28℃培养7d后生长良好的菌落依次转接于4、8、16mM等浓度Cd²⁺PDA平板上，梯度驯化培养，直至平板上不长出菌落时停止转接，筛选到耐最高浓度Cd²⁺的真菌。

2.一种耐镉青霉菌，其特征在于，所述耐镉青霉菌为青霉属对Cd具有高吸附能力；Cd、Pb、Zn、Cu对CN35的最低抑制浓度分别为46、＞80、＞80、20mM；

对Cd²⁺胁迫的响应外在表现为：菌落直径随重金属浓度升高而减小；Cd²⁺浓度≥2mM时，菌落在不添加迹量元素Cu、Zn的CYA平板上菌落由黄色变为红色，Cd²⁺浓度≥5mM时，菌落在PDA平板上由绿色变为红色，随着Cd²⁺浓度升高，各平板上菌落红色加深；菌落形态也随Cd²⁺浓度变化而改变：20mM左右时，菌落表面形成突起。

3.如权利要求2所述的耐镉青霉菌，其特征在于，所述耐镉青霉菌最适生长和耐镉pH为4、温度为28-30℃。

4.一种如权利要求1-3任意一项所述耐镉真菌在镉污染水稻田治理的应用。