[发明专利]一种二氧化钒薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201510248133.5 | 申请日: | 2015-05-15 |
公开(公告)号: | CN104846445B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 张培新;任祥忠;李鼎铖 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | D01D5/00 | 分类号: | D01D5/00;D01D1/02;D04H1/4309 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 | 代理人: | 王永文,刘文求 |
地址: | 518060 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及功能材料制备领域,尤其涉及一种二氧化钒薄膜及其制备方法。
背景技术
由于温室气体排放的日益严重,节能减排逐渐成为各国发展的共同目标。“十二五”期间,中国将把大幅度降低能源消耗强度、二氧化碳排放强度和主要污染物的排放总量作为重要的约束性指标。建筑耗能尤为突出,而且占建筑总面积13%的玻璃材料,散热达到了70%,其中普通玻璃对红外和紫外的隔热效果表现不佳。二氧化钒(VO2)在68℃左右可发生半导体-金属的一级可逆相变,从低温的单斜结构变化到高温的四方结构,升温相变前后其可见光透过率变化不大,但是红外透过率下降可达50%以上。
现有制备二氧化钒薄膜的方法多为溶胶凝胶法,化学气相沉积法,磁控溅射法以及真空镀膜法等,但这些方法存在不同的缺点,如:溶胶凝胶法制备二氧化钒薄膜时,在涂膜过程中由于涂膜物质的挥发和收缩经常会出现气泡,裂缝,薄厚不均,甚至脱落等现象。化学气相沉淀法存在设备工艺要求较高,不易于进行大规模工业化生产等缺点。磁控溅射法存在对靶材(如纯度,表面光滑度,导电性等)要求较高,设备投入大等缺点。真空蒸镀法则存在制备工艺较为复杂,仪器要求较高,不能进行工业化生产等缺点。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种二氧化钒薄膜及其制备方法,旨在解决现有技术制备的薄膜厚度不均匀,薄膜脱落,工艺复杂及不宜工业化生产的问题。
本发明的技术方案如下:
一种二氧化钒薄膜的制备方法,其中,包括步骤:
A、制备二氧化钒溶液;
B、称取一定量的聚乙烯醇加入至去离子水中,然后在80-90℃条件下加热溶解,得到聚乙烯醇水溶液,所述聚乙烯醇水溶液中聚乙烯醇的质量浓度为2~30%;
C、将制备的二氧化钒溶液与聚乙烯醇水溶液按质量比为1:1~10混合,得到静电纺丝液;
D、将上述静电纺丝液盛装在静电纺丝装置中进行静电纺丝,制得二氧化钒薄膜。
所述二氧化钒薄膜的制备方法,其中,所述步骤A具体包括:
A1、将V2O5粉末与浓盐酸按物质的量比1:5~7进行混合,然后在80-90℃下搅拌反应,得到透明绿色溶液;
A2、在所得透明绿色溶液中加入甲醛继续反应,得到透明宝蓝色溶液,所述甲醛与步骤A1中V2O5粉末的质量比为1:90~110;
A3、最后将透明宝蓝色溶液中盐酸蒸出,得到二氧化钒溶液。
所述二氧化钒薄膜的制备方法,其中,所述步骤D具体包括:
D1、将上述静电纺丝液盛装在静电纺丝装置的高压容器中;铜金属导线作为电极,接收装置为金属网和与金属网相连的硅片,控制电压为8-20kV,接收距离为10-25cm;
D2、开启静电纺丝装置进行静电纺丝,在接收装置的硅片上形成二氧化钒薄膜。
所述二氧化钒薄膜的制备方法,其中,所述步骤B中,所述聚乙烯醇的分子量为1000~100000。
所述二氧化钒薄膜的制备方法,其中,所述步骤B中,所述聚乙烯醇水溶液中聚乙烯醇的质量浓度为5~15%。
所述二氧化钒薄膜的制备方法,其中,所述步骤C中,制备的二氧化钒溶液与聚乙烯醇水溶液按质量比1:4~8混合。
所述二氧化钒薄膜的制备方法,其中,所述步骤D1中,控制电压为10-15kV。
所述二氧化钒薄膜的制备方法,其中,所述步骤D1中,接收距离为15-20cm。
一种二氧化钒薄膜,其中,应用如上任一所述二氧化钒薄膜的制备方法制备而成。
有益效果:本发明通过制备二氧化钒溶液和聚乙烯醇水溶液,然后将制备的二氧化钒溶液和聚乙烯醇水溶液混合制得静电纺丝液,再将配制好的静电纺丝液在静电纺丝装置中进行静电纺丝,形成二氧化钒薄膜。采用本发明静电纺丝法获得的二氧化钒薄膜具有高比表面积,薄膜均匀密实,结构可控,且获得的薄膜为纳米纤维状薄膜。
附图说明
图1为本发明一种二氧化钒薄膜的制备方法较佳实施例的流程图。
图2为图1所示方法中步骤S100的具体流程图。
图3为图1所示方法中步骤S400的具体流程图。
图4为实施例1中所制备产物的电导率与温度变化的关系图。
图5为实施例1所制备产物的XRD图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大学,未经深圳大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510248133.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。