[发明专利]存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

纳米线，位于衬底上方，其中，所述纳米线包括：

第一漏极/源极区，位于所述衬底上方；

沟道区，位于所述第一漏极/源极区上方；和

第二漏极/源极区，位于所述沟道区上方；

第一介电层和第一栅极层，围绕所述沟道区的下部；

第二介电层和第二栅极层，围绕所述沟道区的上部；以及

第一层间介电层，位于所述衬底上方，所述纳米线至少部分地嵌入所述第一层间介电层中，

其中，所述第一栅极层是闪速存储器件的控制栅极；以及

所述第二栅极层是所述闪速存储器件的浮置栅极。

2.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：

第二层间介电层，介于所述衬底和所述第一栅极层之间。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中：

所述第一介电层是高k介电层；以及

所述第二介电层是隧穿层。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中：

所述第二栅极层是环形浮置栅极。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其中：

所述第二栅极层是O-N-O结构，所述O-N-O结构包括第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层。

6.根据权利要求5所述的存储装置，其中：

所述O-N-O结构是环形O-N-O浮置栅极。

7.一种存储器件，包括：

纳米线，位于衬底上方，其中，所述纳米线包括：

第一漏极/源极区，位于所述衬底上方；

沟道区，位于所述第一漏极/源极区上方；和

第二漏极/源极区，位于所述沟道区上方；

高k介电层和控制栅极层，围绕所述沟道区的下部；以及

隧穿层和环形浮置栅极层，围绕所述沟道区的上部。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中：

所述第一漏极/源极区是闪速存储器晶体管的源极区；以及

所述第二漏极/源极区是所述闪速存储器晶体管的漏极区。

9.根据权利要求7所述的存储器件，其中：

所述沟道区的下部被所述高k介电层围绕；以及

所述高k介电层被所述控制栅极层围绕。

10.根据权利要求7所述的存储器件，其中：

所述沟道区的上部被所述隧穿层围绕；以及

所述隧穿层被所述环形浮置栅极层围绕。

11.根据权利要求7所述的存储器件，其中：

所述环形浮置栅极层包括第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层。

12.根据权利要求7所述的存储器件，还包括：

层间介电层，位于所述衬底上方。

13.根据权利要求12所述的存储器件，其中：

所述纳米线至少部分地嵌入所述层间介电层中。

14.一种用于制造存储器件的方法，包括：

在纳米线的下部形成第一漏极/源极区，其中，所述纳米线形成在衬底上方；

在所述纳米线的上部形成第二漏极/源极区；

形成沟道区，其中，所述沟道区介于所述第一漏极/源极区和所述第二漏极/源极区之间；

围绕所述沟道区的下部形成控制栅极区；以及

围绕所述沟道区的上部形成浮置栅极区。

15.根据权利要求14所述的用于制造存储器件的方法，还包括：

形成高k介电层，其中：

所述沟道区的下部被所述高k介电层围绕；以及

所述高k介电层被所述控制栅极区围绕。