[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，

该等离子体蚀刻方法包括以下工序：

堆积工序，在该堆积工序中，利用含有四氯化硅气体、甲烷气体以及氢气的第1处理气体的等离子体将含有硅和碳的保护层堆积在由基底层和具有规定图案的光致抗蚀剂依次层叠而成的被处理体的所述光致抗蚀剂上；以及

蚀刻工序，在该蚀刻工序中，将堆积有所述保护层的所述光致抗蚀剂作为掩模并利用与所述第1处理气体不同的第2处理气体的等离子体来对所述基底层进行蚀刻，

其中，所述甲烷气体的流量相对于所述四氯化硅气体的流量和所述甲烷气体的流量的总和的比率为大于0％且为80％以下。

2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，

在所述堆积工序中，不对所述被处理体施加偏压。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，

该等离子体蚀刻方法在将所述保护层堆积在所述光致抗蚀剂上之后还包括固化工序，在该固化工序中，在对与所述被处理体相对地配置的、含有硅的上部电极施加了负的直流电压的状态下，利用含有氢气和非活性气体的第3处理气体的等离子体来使所述保护层固化，

在所述蚀刻工序中，将堆积有固化了的所述保护层的所述光致抗蚀剂作为掩模并利用所述第2处理气体的等离子体来对所述基底层进行蚀刻。

4.一种等离子体蚀刻装置，其特征在于，

该等离子体蚀刻装置包括：

腔室，其用于对被处理体进行等离子体蚀刻处理；

排气部，其用于对所述腔室内进行减压；

气体供给部，其用于向所述腔室内供给处理气体；以及

控制部，其用于执行以下各工序：利用含有四氯化硅气体、甲烷气体以及氢气的第1处理气体的等离子体将含有硅和碳的保护层堆积在由基底层和具有规定图案的光致抗蚀剂依次层叠而成的所述被处理体的所述光致抗蚀剂上，将堆积有所述保护层的所述光致抗蚀剂作为掩模并利用与所述第1处理气体不同的第2处理气体的等离子体来对所述基底层进行蚀刻，

其中，所述甲烷气体的流量相对于所述四氯化硅气体的流量和所述甲烷气体的流量的总和的比率为大于0％且为80％以下。