[发明专利]从四极离子阱的离子喷射

权利要求书

1.一种从四极离子阱喷射待分析的离子的方法，其中俘获场通过施加到该阱的一个或多个电极上的一个或多个RF电压产生，该方法包括以下步骤：

(a)冷却该四极离子阱内的这些待分析的离子直到这些离子热化；

(b)减小施加到该四极离子阱上的一个或多个RF电压的幅值，并且施加该一个或多个减小幅值的RF电压持续从该一个或多个RF电压已经达到过零点起的实质上半周期；

(c)在该半周期之后断开施加到该四极离子阱上的该一个或多个RF电压；步骤(a)到(c)按该顺序执行；并且

(d)与步骤(c)同时或在其之后从该四极离子阱喷射这些待分析的离子。

2.如权利要求1所述的方法，其中该四极离子阱是包括与一条轴大体上平行延伸的四个电极的线性阱，该四个电极包括两对相对的电极；第一对相对的电极具有第一RF电压施加到其上并且第二对相对的电极具有第二RF电压施加到其上，该第一与第二RF电压具有相反极性。

3.如权利要求1所述的方法，其中该四极离子阱是包括环形电极和两个端盖电极的3D阱，该环形电极具有第一RF电压施加到其上并且这些端盖电极具有第二RF电压施加到其上，该第一与第二RF电压具有相反极性。

4.如权利要求1所述的方法，其中该四极离子阱是包括环形电极和两个端盖电极的3D阱，该环形电极具有第一RF电压施加到其上并且这些端盖电极具有稳态电压施加到其上。

5.如权利要求2或权利要求3所述的方法，其中步骤(b)包括将该第一和该第二RF电压两者的幅值减小到原RF电压的d倍。

6.如权利要求4所述的方法，其中步骤(b)包括将该第一RF电压的幅值减小到原RF电压的d倍。

7.如权利要求2或权利要求3所述的方法，其中步骤(b)包括将该第一和该第二RF电压中的仅一者的幅值实质上减小到零。

8.如权利要求5所述的方法，其中d在0.3到0.7范围内。

9.如权利要求6所述的方法，其中d在0.4到0.6范围内。

10.如权利要求9所述的方法，其中d在0.45到0.55范围内。

11.如权利要求2或权利要求3所述的方法，其中步骤(b)包括将该第一RF电压的幅值改变e倍并且将该第二RF电压的幅值改变f倍，其中(e+f)/2小于1。

12.如权利要求11所述的方法，其中(e+f)/2位于0.3到0.7范围内。

13.如权利要求12所述的方法，其中(e+f)/2位于0.4到0.6范围内。

14.如权利要求13所述的方法，其中(e+f)/2位于0.45到0.55范围内。

15.如权利要求1所述的方法，其中步骤(c)包括将所有这些阱电极切换到相同电势。

16.如权利要求1所述的方法，其中步骤(d)包括施加一个或多个喷射电压到该离子阱的一个或多个电极上。

17.如权利要求16所述的方法，其中该一个或多个喷射电压在从断开该一个或多个RF电压起的一段时间延迟之后施加，以确保在施加该一个或多个喷射电压之前阱电极的电压已经稳定到实质上稳态。

18.如权利要求17所述的方法，其中施加到该阱上的该一个或多个RF电压以振荡周期随时间变化，并且该时间延迟少于该振荡周期的30％。

19.如权利要求1所述的方法，其中步骤(a)包括在缓冲气体存在下将这些离子约束在该阱内持续一段时间，这些离子通过碰撞过程损失能量给气体直到这些离子被冷却到大致该气体温度。

20.如权利要求1所述的方法，其中这些待分析的离子在喷射方向上从该阱喷射，该喷射方向与分析仪注入轨迹大体上平行，并且步骤(b)中的该过零点被选择成使得这些待分析的离子具有的在该喷射方向上的速度扩散小于在正交于该喷射方向的方向上的速度扩散。

21.如权利要求20所述的方法，其中从该阱喷射的离子由飞行时间质量分析仪或由静电阱质量分析仪接收。