[发明专利]中空玻璃及其电致变色玻璃

权利要求书

1.一种电致变色玻璃，其包括基片，其特征在于：该电致变色玻璃还包含依次形成于该基片上的离子阻挡层、底部透明导电层、电致变色层、第一锂离子导体层、辅助电极层、第二锂离子导体层、顶部透明导电层和保护层。

2.如权利要求1所述的电致变色玻璃，其特征在于：该离子阻挡层为SiO_x，厚度为5～100nm；该底部透明导电层为AZO，厚度为50～850nm；该电致变色层为WO₃，厚度为200～800nm；该第一锂离子导体层为LiWO_x，厚度为5～250nm；该辅助电极层为NiV_xO_y，厚度为100～500nm；该第二锂离子导体层为LiNi_xV_yO_z，厚度为5～250nm；该顶部透明导电层为AZO，厚度为50～850nm；保护层为SiO_x或者SiN_x，厚度为5～100nm。

3.如权利要求2所述的电致变色玻璃，其特征在于：该离子阻挡层的厚度为20～80nm；该底部透明导电层的厚度为100～600nm；该电致变色层的厚度为300～700nm；该第一锂离子导体层的厚度为10～150nm；该辅助电极层的厚度为200～400nm；该第二锂离子导体层的厚度为10～150nm；该顶部透明导电层的厚度为100～600nm；该保护层的厚度为20～80nm。

4.如权利要求3所述的电致变色玻璃，其特征在于：该离子阻挡层的厚度为40～60nm；该底部透明导电层的厚度为150～300nm；该电致变色层的厚度为400～600nm；该第一锂离子导体层的厚度为30～80nm；该辅助电极层的厚度为250～350nm；该第二锂离子导体层的厚度为30～80nm；该顶部透明导电层的厚度为150～300nm；该保护层的厚度为40～60nm。

5.如权利要求4所述的电致变色玻璃，其特征在于：该离子阻挡层的厚度为50nm；该底部透明导电层的厚度为200nm；该电致变色层的厚度为500nm；该第一锂离子导体层的厚度为50nm；该辅助电极层的厚度为300nm；该第二锂离子导体层的厚度为50nm；该顶部透明导电层的厚度为200nm；该保护层的厚度为50nm。

6.一种中空玻璃，其包括第一玻璃、间隔元件及第二玻璃，该间隔元件位于该第一玻璃与该第二玻璃之间；该第一玻璃为电致变色玻璃，其包括基片，其特征在于：该第一玻璃还包含依次形成于该基片上的离子阻挡层、底部透明导电层、电致变色层、第一锂离子导体层、辅助电极层、第二锂离子导体层、顶部透明导电层和保护层。

7.如权利要求6所述的中空玻璃，其特征在于：该离子阻挡层为SiO_x，厚度为5～100nm；该底部透明导电层为AZO，厚度为50～850nm；该电致变色层为WO₃，厚度为200～800nm；该第一锂离子导体层为LiWO_x，厚度为5～250nm；该辅助电极层为NiV_xO_y，厚度为100～500nm；该第二锂离子导体层为LiNi_xV_yO_z，厚度为5～250nm；该顶部透明导电层为AZO，厚度为50～850nm；保护层为SiO_x或者SiN_x，厚度为5～100nm。

8.如权利要求7所述的中空玻璃，其特征在于：该离子阻挡层的厚度为20～80nm；该底部透明导电层的厚度为100～600nm；该电致变色层的厚度为300～700nm；该第一锂离子导体层的厚度为10～150nm；该辅助电极层的厚度为200～400nm；该第二锂离子导体层的厚度为10～150nm；该顶部透明导电层的厚度为100～600nm；该保护层的厚度为20～80nm。