[发明专利]一种生物神经突触仿生电子器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201510255588.X | 申请日： | 2015-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN104934534A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 诸葛飞;潘若冰;曹鸿涛;竺立强;李俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生物 神经 突触 仿生 电子器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种生物神经突触仿生电子器件，所述器件从上至下依次包括上电极、与上电极连接的中间绝缘层以及与中间绝缘层连接的下电极，其特征在于：所述上电极的材料为金属钛，所述中间绝缘层的材料为金属氧化物。
2. 如权利要求1所述的一种生物神经突触仿生电子器件，其特征在于：所述金属氧化物的厚度为2~300nm。
3.如权利要求2所述的一种生物神经突触仿生电子器件，其特征在于：所述金属氧化物为ZnO薄膜。
4.如权利要求3所述的一种生物神经突触仿生电子器件，其特征在于：所述ZnO薄膜的厚度为100nm。
5.如权利要求1所述的一种生物神经突触仿生电子器件，其特征在于：所述上电极为金属钛薄膜，其厚度为10～200nm。
6.如权利要求5所述的一种生物神经突触仿生电子器件，其特征在于：所述上电极为金属钛薄膜，其厚度为50nm。
7.制备如权利要求1至6中任一项所述的一种生物神经突触仿生电子器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）依次在衬底上形成下电极层和中间绝缘层；
（2）在所述的中间绝缘层上形成若干个相互隔离的上电极；
（3）对下电极层和中间绝缘层进行刻蚀除去未被上电极覆盖的区域，即得到相互隔离的生物神经突触仿生电子器件；
其中所述上电极的材料为金属钛，且中间绝缘层的材料为金属氧化物。
8.如权利要求7所述的生物神经突触仿生电子器件的制备方法，其特征在于，所述下电极层的材料为金属或简并半导体。
9.如权利要求7所述的生物神经突触仿生电子器件的制备方法，其特征在于：所述上电极金属钛为钛薄膜，其厚度为10～200nm。
10.如权利要求7所述的生物神经突触仿生电子器件的制备方法，其特征在于：中间绝缘层的材料为ZnO薄膜。
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