[发明专利]用于电子器件的栅绝缘层

权利要求书

1.聚合物组合物，其包括聚环烯烃聚合物和粘合促进剂，其中所述聚合物包含一种或多种具有可交联基团的重复单元，和所述粘合促进剂是具有以下结构的化合物：

其中

R¹²、R¹³和R¹⁴各自独立地选自卤素、硅氮烷、C₁-C₁₂-烷氧基，C₁-C₁₂-烷基氨基，任选取代的C₅-C₂₀-芳氧基和任选取代的C₂-C₂₀-杂芳氧基，且其中R¹²、R¹³和R¹⁴中的一个或两个还可以表示C₁-C₁₂-烷基，任选取代的C₅-C₂₀-芳基或任选取代的C₂-C₂₀-杂芳基，

A'是单键或间隔基团、连接基团或桥基，和

R¹⁰和R¹¹各自独立地为H或C₁-C₆烷基。

2.根据权利要求1的聚合物组合物，其包括溶剂，可交联的降冰片烯类聚合物，以及交联剂、UV敏化剂和粘合促进剂中的一种或多种。

3.根据权利要求2的聚合物组合物，其中所述降冰片烯类聚合物包括衍生自选自DMMIMeNB、DMMIEtNB、DMMIPrNB或DMMIBuNB的降冰片烯类单体的重复单元。

4.根据权利要求2或3的聚合物组合物，其中UV敏化剂是CPTX，且溶剂是MAK、环己酮或环戊酮。

5.根据权利要求2到4中的一项或多项的聚合物组合物，其中所述交联剂为DMMI-丁基-DMMI、DMMI-戊基-DMMI或DMMI-己基-DMMI。

6.根据权利要求2到5中的一项或多项的聚合物组合物，其中所述粘合促进剂为DMMI-丙基-Si(OEt)₃、DMMI-丁基-Si(OEt)₃、DMMI-丁基-Si(OMe)₃或DMMI-己基-Si(OMe)₃。

7.根据权利要求1到6中的一项或多项的聚合物组合物，其包括聚环烯烃聚合物，该聚环烯烃聚合物包括衍生自选自BuNB、HexNB、OctNB、DecNB、NBC₄F₉和PPVENB的降冰片烯类单体的重复单元。

8.根据权利要求1到7中的一项或多项的聚合物组合物，其包括聚环烯烃聚合物，该聚环烯烃聚合物包括衍生自选自EONB、MGENB、DMMIMeNB、DMMIEtNB、DMMIPrNB、DMMIBuNB和DMMIHxNB的降冰片烯类单体的可交联重复单元。

9.根据权利要求1到8中的一项或多项的聚合物组合物，其包括聚环烯烃聚合物，该聚环烯烃聚合物包括衍生自选自BuNB、HexNB、OctNB、DecNB的降冰片烯类单体的重复单元和衍生自选自EONB、MGENB、DMMIMeNB、DMMIEtNB、DMMIPrNB、DMMIBuNB和DMMIHxNB的降冰片烯类单体的重复单元。